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公开(公告)号：CN104148993B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410400477.9
申请日：2014-08-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 微型焊针内孔研磨装置，涉及内孔研磨装置。设有工作台、焊针存放盘、研磨槽、立柱横梁、X轴导轨、X轴伺服电机、X轴丝杆、X轴移动块、Z轴旋转电机、Z轴旋转块、Z轴导轨、Z轴伺服电机、Z轴丝杆、主轴电机、主轴、焊针夹头、超声换能器、旋转电机和磁铁。采用磁力研磨方式对焊针进行加工，可解决微型焊针内孔的抛光问题，使焊针内孔的表面质量得到显著提高，从而可使焊针在焊接使用过程中焊接剂的畅通，使焊接质量得到保证。此外，结构简单，易于实际生产，焊针夹头采用气动型，小巧方便，装夹快捷；同时，流线式的生产能大大减小加工时间，工效显著提高。
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公开(公告)号：CN102820398B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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公开(公告)号：CN103557417B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310587009.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种三脚架的辅助定位装置，涉及三脚架。设有张角调节机构、伸缩机构、导向机构和螺纹紧固装置；所述张角调节机构包括手轮、丝杆、丝杆螺母、连接杆和固定套；伸缩机构设有连杆伸缩机构和支撑杆伸缩机构，所述连杆伸缩机构和支撑杆伸缩机构均包括第1螺钉、套筒、第2螺钉、调节螺母和轴承；导向机构包括滑块、第1导轨、第2导轨、第3导轨、紧固螺钉、调节螺栓、导轨基座和固定螺栓。结构简单，方便装卸，便于携带，可用于大多数三脚架的定位中，具有普遍性。操作简单，使用时只需旋动手轮、调节螺母、紧固螺钉等，就可实现仪器的定位，省时省力。与三脚架本身独立，不影响其原有特性。
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公开(公告)号：CN103822605A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410098960.6
申请日：2014-03-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G01B21/20
Abstract: 大口径光学元件轮廓的一次拼接测量装置，涉及一种光学元件轮廓的测量装置。设有Y轴直线电机、Y轴直线导轨、底座、运动控制器、立柱、横梁、测量传感器、直线运动丝杆螺母副、联轴器、测头运动驱动电机、Z轴直线导轨、Z轴直线电机、测头连接座、Z轴工作台、X轴工作台、X轴直线导轨、X轴直线电机、工件、工件回转台、连接座、旋转电机、Y轴工作台和计算机。可实现一次拼接测量，特别针对大口径工件减少了测量步骤，测量过程简单，测量效率高，结构简单紧凑，操作方便。
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公开(公告)号：CN103474503A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320753A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119419203A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411353917.X
申请日：2024-09-26
IPC: H01L25/16 , H10H20/857 , H10H20/83 , H10H20/84 , H10H20/855
Abstract: 本发明涉及微型发光二极管技术领域，公开微型发光二极管发光单元、器件及器件的制备方法。包括：驱动电路层、外延结构、第一透明导电层、钝化层、第二透明导电层、电极结构、介电材料层和金属准直结构；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一透明导电层设置在驱动电路层与外延结构之间；钝化层设置在外延结构和第一透明导电层侧壁及驱动电路层上表面；第二透明导电层覆盖外延结构及钝化层的外表面；电极结构设置在第二透明导电层上；介电材料层设置在外延结构上；金属准直结构设置在介电材料层上，形成通孔以及环形凹槽。本发明的介电材料层增大出射光临界角，提高光提取效率；金属准直结构减小发散角和光串扰，实现汇聚准直。
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公开(公告)号：CN117747727A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311768650.6
申请日：2023-12-19
Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层，还包括：发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；第一电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；第二电极；位于所述p型半导体层远离所述半导体衬底层的一侧；所述第一电极和所述第二电极间隔设置；第三电极，位于所述半导体衬底层远离所述N型半导体层的一侧表面。本发明提供的Micro‑LED发光器件一方面生产成本低，且为后续工艺提供较大窗口；另一方面Micro‑LED发光器件的发光效率高，且功率损耗低。
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公开(公告)号：CN116314478A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310082734.8
申请日：2023-02-06
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片的制备方法，包括：提供衬底层；在所述衬底层的一侧依次形成层叠的N型半导体层、初始有源层和初始P型半导体层；刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层直至暴露出所述N型半导体层，且使所述初始P型半导体层形成P型半导体层，使初始有源层形成有源层，在刻蚀部分所述初始P型半导体层和部分所述初始有源层的过程中形成损伤层，所述损伤层位于所述有源层和所述P型半导体层的侧壁；对所述损伤层进行退火处理以形成修复层；对所述修复层进行超临界流体处理，以补偿所述修复层中的空位缺陷。本发明提供的Micro‑LED芯片的制备方法能够提高Micro‑LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115863507A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211524225.8
申请日：2022-11-30
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少一个第n反射单元，第n反射单元包括第n下反射层和第n上反射层；第n下反射层的折射率小于第n上反射层的折射率；第一组反射单元中的第一下反射层至第N组反射单元中第N下反射层的掺杂浓度递增，第一下反射层至第N下反射层中均具有孔洞，第一下反射层至第N下反射层的孔洞率递增；位于所述反射结构背离所述半导体衬底层一侧的发光层。所述LED器件的发光效率和发光均匀性均提高。
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