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公开(公告)号：CN116389925A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310379602.1
申请日：2023-04-10
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本公开提供一种用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法，光电成像器件在轨运行后受到高能粒子的辐射损伤，包括：S1，将所述光电成像器件置于表面覆有遮光单元的暗室腔体中；S2，利用温控系统调节所述暗室腔体至预设温度；所述温控系统至少包括信号处理电路、热敏电阻、散热元件、加热元件、模数转换器、多路模拟开关；S3，对所述光电成像器件进行预设时长的退火，记录所述退火的条件信息；S4，利用测试系统中的控制模块设定测试参数，采集所述光电成像器件在不同积分时间下的图像数据；S5，利用计算机对所述图像数据进行处理，获得关键参数数据，并根据所述退火的条件信息和所述关键参数数据对所述光电成像器件进行光电参数的恢复。
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公开(公告)号：CN111541853B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010385562.8
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，在暗场条件下，选定积分时间，利用经过辐照后的图像传感器获取暗场图像并保存，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，再改变积分时间，最后画出暗场下各通道的曲线，该曲线拟合直线的斜率除以图像传感器的转换增益即分别为各通道的暗电流。本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照引起器件各通道暗电流退化的情况。从而为大面阵彩色CMOS图像传感器在空间应用时的抗辐射设计提供理论依据和技术支撑。
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公开(公告)号：CN111307418B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201911236879.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于红外探测器质子位移效应的低温辐照试验测试方法，该方法涉及装置是由计算机、低噪声直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、GPIB转USB连接线、专用测试杜瓦瓶、温控仪、CDBA‑25Z排线、导线1和导线2组成，将装置放置在辐照室内，然后根据测试暗场或者光场的需求，选择是否在测试杜瓦瓶中安装冷屏，再利用分子泵对封装有红外探测器的测试杜瓦瓶进行排气，并灌装液氮进行制冷，检查各项功能正常后开始辐照测试，结束辐照试验后，利用已有参数，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪声、响应率、探测率和缺陷像元。本发明所述方法实现了红外探测器的低温在线辐照测试，可靠性高、装置连接简单、操作方便、方法简单易行。
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公开(公告)号：CN113917217A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187762.3
申请日：2021-10-12
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。将置于高低温箱中的样品测试板接通电源，然后调节高低温箱内的温度调节模块，达到目标温度后，保证测试样品与高低温箱环境温度一致，通过计算机中的采图软件，找出热像素灰度值达到饱和时对应的积分时间，确定为最大积分时间，等间隔选择10个小于最大值的积分时间，每个积分时间下采集10帧图像，完成不同温度下暗场测试；暗电流与工作温度之间的关系可以用阿伦纽斯公式描述，提取曲线的斜率，计算每个像素的暗电流激活能。本发明可以在实验室条件下完成辐照后暗电流激活能的测试，适用范围广，方法简单有效，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN111366340B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010385703.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，分别计算各通道所有像素的平均灰度值，画出各通道所有像素的平均灰度值随积分时间变化的曲线，根据曲线可得饱和灰度值，本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照引起器件各通道饱和灰度值退化的情况。为大面阵彩色CMOS图像传感器在空间应用时的抗辐射设计提供理论依据和技术支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112945270A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108151.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明涉及一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法，该方法涉及装置由样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、成像镜头、直流电源、计算机和转台组成，调整转台拍摄非天顶方向星区，采取星图进行星点提取、星图匹配，再调整转台的回转角和俯仰角，使外壳结构件上的固定成像镜头能够对准天顶方向天区，得到转台在方位俯仰都是相对0度时对应的星点坐标位置，再计算出非天顶方向星图中匹配成功的任意两颗恒星对应的星敏感器测量坐标系下的方向向量，并计算其夹角，得到测量星对焦距；再计算每幅星图匹配成功的任意两颗恒星在地心赤道惯性坐标系下的夹角，得到理论星对焦距。最后计算星对角距理论值和测量值均值的差值，即为星对焦距平均测量误差。本发明可以在外场条件下快速评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN108401151B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810250683.4
申请日：2018-03-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率；然后采集、保存图像，开启单粒子辐照束流；继续采集、保存图像，当单粒子辐照束流达到1×107 ion·cm‑2后，关闭单粒子辐照束流，停止采集、保存图像。根据图像数据准确判断互补金属氧化物半导体图像传感器发生的单粒子效应。该方法可靠性高、数据传输速度快、操作方便、简单易行。
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公开(公告)号：CN107273694B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710507965.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G06F17/18
Abstract: 本发明涉及一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对同一天在轨暗场测试采集到的十幅图进行统计，得到十幅图中宇宙射线轨迹总数，然后统计每条宇宙射线轨迹在图像上经过的列数，找出每条宇宙射线轨迹中灰度值最大的像素，以该像素为中心像素，其上下左右各个方向上的像素灰度值逐渐降低，寻找各方向上像素的灰度值介于图像背景灰度值的1.5倍和中心像素灰度值之间的所有像素即为宇宙射线信号源覆盖的像素。通过计算宇宙射线轨迹上所有像素的平均灰度值、宇宙射线上方信号源像素的灰度值总和以及宇宙射线下方信号源像素的灰度值总和，计算出总的电荷转移损失率，以此求出基于该条宇宙射线的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN107197236A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710507516.9
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00
CPC classification number: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移次数，根据公式计算出单个热像素的电荷转移损失率，以此求出基于单个热像素的电荷耦合器件的单次电荷转移效率。最后计算所求出的N个电荷转移效率的均值，即为在轨电荷耦合器件的电荷转移效率。本发明实时性强，方法简单快速，计算结果准确。
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公开(公告)号：CN103983874B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410210427.4
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法，通过多孔衰减的方法，在不变动加速器结构、控制系统的前提下，将电子加速器改造成为满足国军标要求的低通量空间辐射环境地面模拟装置。通过蒙特卡罗模拟计算方法和高分辨率测量方法，研究了通过衰减法降低电子束通量后电子束能谱、次级辐射、辐照场均匀性，能够适应电子元器件、材料辐射效应研究和评估方法研究的要求。解决了现有电子加速器在进行电子元器件辐射效应研究时电子通量高的技术问题。
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