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公开(公告)号：CN102025110B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910092876.2
申请日：2009-09-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。
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公开(公告)号：CN102252754A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110133353.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J3/02
Abstract: 一种条纹相机反射式离轴光学耦合装置，包括：一镜筒，在该镜筒的中心开有一圆柱形孔；一准直镜座，该准直镜座为一圆柱体，在其中心一侧开有一出光口，在出光口的另一侧面积较大的部位开有一圆形凹槽，该圆形凹槽与中心轴线成一预定角度，该准直镜座用螺丝固定在镜筒的一端，通过调节螺丝可调整准直镜座与镜筒的相对位置；一准直镜，该准直镜位于准直镜座上的圆形凹槽内；一聚焦镜座，该聚焦镜座为一圆柱体，在其中心一侧开有一进光口，在进光口的另一侧面积较大的部位开有一圆形凹槽，该圆形凹槽与中心轴线成一预定角度，该聚焦镜座用螺丝固定在镜筒的另一端，通过调节螺丝可调整聚焦镜座与镜筒的相对位置；一聚焦镜，该聚焦镜位于聚焦镜座上的圆形凹槽内。
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公开(公告)号：CN101831613B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010157517.3
申请日：2010-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN101748368B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810240352.9
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，包括：一挡片，该挡片主体为长方体，在该挡片的一侧面开有一凹槽，用以固定样品一边；该长方体挡片的正面两端各一螺纹孔，用以将挡片固定在样品托上；一样品托，该样品托具有一供挡片滑动的凹槽，且该样品托中间有一方形通孔，该方形通孔两侧各有一个可穿过螺丝的矩形通孔，以便于用螺丝将挡片和样品托固定在一起，样品被夹在挡片的凹槽和样品托之间。本发明提供的用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，能够固定不同大小的样品，只要样品有一边整齐就可以固定牢靠，可以适用于尺寸变化大，边缘不规则的薄样品，而且装卸方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102109467A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010591599.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用拉曼光谱仪定量检测痕量罗丹明6G的方法，包括以下步骤：采用交流电化学沉积法制备多个银纳米线阵列：以硝酸银/硼酸混合水溶液为电解液向AAO模板的孔洞中限域沉积银纳米线，形成银纳米线阵列；制备银纳米颗粒，并分别与不同浓度的罗丹明6G溶液混合，分别滴在制备好的银纳米线阵列上，形成SERS增强“三明治”体系；待“三明治”体系自然干燥后，在拉曼光谱仪上对其进行拉曼光谱测试，得到不同浓度罗丹明6G溶液的SERS谱；计算不同浓度罗丹明6G溶液SERS谱的特征峰强度，得到罗丹明6G的SERS强度-浓度的关系曲线，此曲线是作为罗丹明6G定量检测的依据；将未知浓度的罗丹明6G溶液SERS强度与罗丹明6G的SERS强度-浓度关系曲线进行对照，以得出罗丹明6G溶液的浓度。
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公开(公告)号：CN102025110A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910092876.2
申请日：2009-09-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。
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公开(公告)号：CN101916965A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231191.4
申请日：2010-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种短波长光栅面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底；一下波导层生长在该衬底上；一有源层生长在该下波导层上；一上波导层生长在该有源层上；一盖层生长在该上波导层上，该盖层的上半部位置形成二级分布反馈光栅；一光栅层位于盖层的上面，并且该光栅层具有与盖层上的光栅相同的光栅周期，在该光栅层上形成有多个窗口，所述窗口的深度到达盖层的表面；其中所述的下波导层、有源层、上波导层、盖层和光栅层的两侧为梯形斜面；一二氧化硅层生长在衬底的上面和梯形斜面上，及所述光栅层上面两侧的边缘部分；一正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及光栅层表面未被二氧化硅层覆盖的两侧的边缘部分；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成短波长光栅面发射量子级联激光器结构。
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公开(公告)号：CN101113328B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610088947.8
申请日：2006-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
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公开(公告)号：CN101867155A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910081987.3
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一N型砷化镓衬底；一N型砷化镓缓冲层，生长在N型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一N型铝镓砷光学下限制层，生长在N型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层不同周期的自组织量子点有源层，生长在N型铝镓砷光学下限制层上；一P型铝镓砷光学上限制层，生长在该量子点有源层上，用于光学模式和载流子的限制；以及一P型砷化镓帽层，生长在该P型铝镓砷光学上限制层上，用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性，获得宽的增益谱。
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