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公开(公告)号：CN100459045C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610064883.8
申请日：2006-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化铝镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
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公开(公告)号：CN101113328B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610088947.8
申请日：2006-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
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公开(公告)号：CN100487864C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610002667.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。
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公开(公告)号：CN101038866A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610064883.8
申请日：2006-03-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
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公开(公告)号：CN101007944A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002667.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。
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