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公开(公告)号：CN101881728A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910083496.2
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对二氧化硫气体进行检测的装置及方法，该装置由量子级联激光器(1)及其驱动电源(7)、ZnSe透镜(2)、气室(3)、双路麦克风电源(4)、锁相放大器(5)和计算机(6)构成；其中，驱动电源(7)激励量子级联激光器(1)发射波长为7.36微米的中红外光，该中红外光经ZnSe透镜(2)会聚为平行光并进入气室(3)，在气室中产生声信号，由气室中一对高灵敏度麦克风分别收集并传递给双路麦克风电源(4)，把声信号转化为电信号，产生的电信号输入锁相放大器(5)进行差分和信号提取，最后由计算机(6)记录和储存信号值，由信号值计算得到待测气体浓度。利用本发明，解决了以往的测量气体浓度耗时长、反应不灵敏、操作复杂、设备维护繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN101813618A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033961.4
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 一种基于光声效应的多种气体同时检测装置，包括：一第一电源和一第二电源；一第一光源和一第二光源，该第一光源和第二光源的输入端分别与第一电源和一第二电源连接；一气室，该气室接收第一光源和第二光源的入射光，在该气室中放置有一话筒；一前置放大器，该前置放大器接收话筒的信号；一计算机，该计算机对前置放大器的信号进行单频幅值提取，单频幅值与气体浓度直接相关。
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公开(公告)号：CN101748368B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810240352.9
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，包括：一挡片，该挡片主体为长方体，在该挡片的一侧面开有一凹槽，用以固定样品一边；该长方体挡片的正面两端各一螺纹孔，用以将挡片固定在样品托上；一样品托，该样品托具有一供挡片滑动的凹槽，且该样品托中间有一方形通孔，该方形通孔两侧各有一个可穿过螺丝的矩形通孔，以便于用螺丝将挡片和样品托固定在一起，样品被夹在挡片的凹槽和样品托之间。本发明提供的用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，能够固定不同大小的样品，只要样品有一边整齐就可以固定牢靠，可以适用于尺寸变化大，边缘不规则的薄样品，而且装卸方便。
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公开(公告)号：CN101748368A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240352.9
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，包括：一挡片，该挡片主体为长方体，在该挡片的一侧面开有一凹槽，用以固定样品一边；该长方体挡片的正面两端各一螺纹孔，用以将挡片固定在样品托上；一样品托，该样品托具有一供挡片滑动的凹槽，且该样品托中间有一方形通孔，该方形通孔两侧各有一个可穿过螺丝的矩形通孔，以便于用螺丝将挡片和样品托固定在一起，样品被夹在挡片的凹槽和样品托之间。本发明提供的用于电子束蒸发薄膜的样品夹具，能够固定不同大小的样品，只要样品有一边整齐就可以固定牢靠，可以适用于尺寸变化大，边缘不规则的薄样品，而且装卸方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101764107A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010034103.1
申请日：2010-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。解决了以往热敏元件与器件集成制作过程中设计和工艺复杂、成本昂贵等问题。
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公开(公告)号：CN101673920A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810119796.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓX方向的(0，1)级耦合机制；一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部分；一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。
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公开(公告)号：CN101859983B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导阵列的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体波导阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体波导阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN101673920B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810119796.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/10
Abstract: 一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层；一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ГX方向的(0，1)级耦合机制；一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部分；一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面；一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。
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公开(公告)号：CN101859983A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175432.8
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体结构阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体结构阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
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