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公开(公告)号：CN100412536C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510006769.5
申请日：2005-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤2：将步骤1所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤3：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。
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公开(公告)号：CN101144776A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200610112933.5
申请日：2006-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/19
Abstract: 本发明公开了一种增强磁圆偏振二向色性信号和提高信噪比的测量系统，该系统包括光源、单色仪、第一凸透镜、渥拉斯顿棱镜、光弹调制器、光弹调制器控制器、第二凸透镜、变温磁体系统、探测器，以及锁相放大器。利用本发明，增强了测量信号并提高了信噪比；同时，既可以测量磁圆偏振二向色性信号与外磁场的关系，这与SQUID测量的磁滞回线相对应；也可以测量磁圆偏振二向色性信号与温度的关系，这对应于SQUID测量的饱和磁化或剩余磁化的温度依赖性，可以确定材料的铁磁居里温度；还可以测量磁圆偏振二向色性信号的光能量依赖性，从而确定材料的能带结构。
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公开(公告)号：CN101059437A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610011749.1
申请日：2006-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种变温显微磁光光谱系统，包括：一激光器；一致冷机控制样品的温度；一中心带有室温孔洞的超导磁体杜瓦提供用于磁光光谱的磁场；一激光入射光路把激光器的输出激光引入并聚焦到致冷头内的样品表面来激发样品的荧光光谱；一样品监视光路监视激光通过第一分束器和显微物镜聚焦到样品上的具体位置和聚焦情况；一信号收集光路通过多模光纤把荧光信号传输到光谱仪进行光谱测量；一光纤监视光路观察荧光信号和激光反射信号的具体位置，确保样品荧光信号有效地被多模光纤收集；一光谱仪和相应的探测器，位于多模光纤的一端，用来色散和测量样品的荧光信号。
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公开(公告)号：CN1866465A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200510072978.X
申请日：2005-05-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及电子学器件技术领域，利用InGaAs作为缓冲层来增加半金属铁磁体闪锌矿结构锑化铬(zb－CrSb)厚度的分子束外延生长方法。包括分子束外延生长系统、源炉温度控制系统、五种元素固体源(包括Ga、As、In、Cr、Sb)、GaAs衬底、反射式高能电子衍射枪、超导量子干涉仪(SQUID)。利用分子束外延系统生长制备zb－CrSb样品。通过SQUID测量zb－CrSb的基本磁性质。从极低温下zb－CrSb的磁滞回线得到饱和磁矩，并由此来计算zb－CrSb的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117029998A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311027820.5
申请日：2023-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于片上光波导的超声波成像芯片，包括基底层，底部包层，波导光栅层，以及上包层。基底层用于芯片的物理支撑；底部包层设于基底层上，用于限制光场以及降低传输损耗；波导光栅层设于底部包层上，包括多条波导光栅；上包层设于波导光栅层上，用于接收和放大超声波信号；其中，所述波导光栅用于传输光并在所述超声波信号作用下对光进行调制，能够实现更高性能的超声成像。
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公开(公告)号：CN101916791B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910237779.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；其中谐振腔结构进一步还包括如下结构：一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上，包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层；一腔体下砷化镓层，该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体上砷化镓层生长在有源区上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层；其特征在于，下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层，上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
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公开(公告)号：CN101764152B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810240933.2
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN102023141A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093882.X
申请日：2009-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一套具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统，包括：一掺钛蓝宝石激光器，在其出射光路上依次排列有斩波器、宽波段线偏振片、光弹调制器、第一宽带消偏振分光棱镜、第二宽带消偏振分光棱镜、第一物镜和液氮杜瓦；该第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一摄像头及与其连接的显示器，在摄像头之后的光路上有一第二物镜，在第二物镜之后通过光纤连接有一单色仪及其配套的探测器；斩波器与一控制器连接；光弹调制器与一控制器连接；第一宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一照明光源及探测器；第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包扩一摄像头及与其连接的显示器；一钕铁硼永磁体，同轴但不接触地套在液氮杜瓦的前端；还包括一直流电流源，其两个输出端口通过导线与样品连接。
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公开(公告)号：CN101206312B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610165536.4
申请日：2006-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种可改变工作波长且无光线偏移的滤光器，包括：一底板；一第一旋转台安装在底板上面一侧的上方；一第二旋转台安装在底板上面另一侧的上方；第一晶片固定器固定在第一旋转台上中央位置；一第二晶片固定器固定在第二旋转台上中央位置；一薄膜干涉滤光片安装在第一晶片固定器上；一光学晶片组安装在第二晶片固定器上；一丝轴基座固定在底板上中间的上端；一丝轴的一端安装在丝轴基座上；一滑块安装在丝轴上，其上部还带有可以滑轨配合的凸状卡头；一步进电机安装在底板中间的下端，与丝轴的另一端连接；一第一杆件的一端固定于第一旋转台上；一第二杆件的一端固定于第二旋转台上。
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