-
公开(公告)号：CN103700736A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310713492.4
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN103579461A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553763.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
-
-
公开(公告)号：CN103151445A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310067793.4
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 一种低热阻LED封装结构，其包括：LED芯片；一支撑电路板，包括：一电路板；一制作在电路板下的反射层和一制作在反射层下的金属导热层，该电路板的中间有一通孔，所述LED芯片位于电路板的通孔内，该LED芯片通过金属引线与电路板电性连接；一封胶层，该封胶层将电性连接好的LED芯片固封在支撑电路板中的电路板的通孔内。本发明的优点是无支架，该LED封装结构可以提高LED芯片的出光效率，并且使LED芯片产生的热量经过金属导热层迅速扩散，并传导到散热器表面，省掉传统封装结构的中间环节，热阻明显下降，亮度和可靠性得到提高，整体制作成本下降，提高了产品一致性。
-
公开(公告)号：CN103137808A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310061427.8
申请日：2013-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓系发光二极管，该发光二极管包括至少一层低温插入层。所述插入层是AlxGal-xN，其中0≤x≤1或者InyAl1-yN，其中0≤y≤1或者AlaInbGal-a-bN，其中0≤a＜1，0≤b＜1。所述插入层的生长温度是500-1000℃。该发光二极管可以降低InGaN/GaN多量子阱中的应力，增加发光强度并显著改善大电流注入下的效率下降问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103066195A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310030351.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管，包括：衬底，该衬底上下表面均覆盖有绝缘层，绝缘层表面各有一层金属线层；LED芯片，该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层，以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极；该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上，该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接；以及导热层，形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。本发明利用石墨烯优越的导电性能，使得部分热量可以经由石墨烯导热层传递到衬底上，增加了器件的导热通道，提高了散热效果。
-
公开(公告)号：CN102891232A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210375368.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件，包括：第二电极；第一掺杂类型的第一半导体层，与第二电极电性连接；有源层，形成于第一半导体层上；第二掺杂类型的第二半导体层，形成于有源层上；第一掺杂类型的第一简并半导体层，形成于第二半导体层上；第二掺杂类型的第二简并半导体层，形成于第一简并半导体层上；第一电极，与第二简并半导体层电性连接。本发明通过在半导体发光器件插入正偏的隧穿pn结，大幅增强功率型半导体发光器件的电流分布均匀性，解决电流集边效益。
-
公开(公告)号：CN102867837A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210340102.9
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。
-
公开(公告)号：CN102157640B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110064300.2
申请日：2011-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。
-
公开(公告)号：CN101847677B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010143078.0
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
192
records
(took 0.034 seconds)
