公开(公告)号：CN103487238A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310424557.3

申请日：2013-09-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵勇兵 ,  裴艳荣 ,  朱绍歆 ,  田婷 ,  郭金霞 ,  杨华 ,  伊晓燕 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明提供一种光源频闪测试装置，包括：一发射器，用于将电信号施加至被测试光源，生成发射角度变化的测试光信号；一接收器，用于接收测试光信号，将光信号转变为电信号；其中发射器与接收器为无线连接。本发明可以快速简易的测试光源频闪。

公开(公告)号：CN103489968B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310407479.6

申请日：2013-09-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯向旭 ,  张宁 ,  刘乃鑫 ,  付丙磊 ,  朱绍歆 ,  张连 ,  魏同波 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层，利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力，从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。

公开(公告)号：CN103489968A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310407479.6

申请日：2013-09-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯向旭 ,  张宁 ,  刘乃鑫 ,  付丙磊 ,  朱绍歆 ,  张连 ,  魏同波 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066

Abstract: 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层，利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力，从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。