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公开(公告)号：CN109770886A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910112687.0
申请日：2019-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/026
Abstract: 本发明公开了一种柔性可贴附式血流速度测试系统及其构建方法，该测试系统包括：两个光电探测器，与双波长红光/近红外探头光源阵列集成，集成后的结构采用柔性材料进行封装，形成柔性双波长探头结构，用于探测血管中的红血球运动信号；以及后端接口电路，用于对探测数据进行处理，将红血球运动信号转化为对应血流速度，以及依据血流速度与血脂标准的关系将血流速度转化为血脂指标。该系统可实现血脂的实时监测，采用柔性材料实现探头光源以及双波长探头结构的封装，不需要利用光纤来引导光源和收集反射后的光源，该测试系统具有柔性可穿戴、无创、方便快捷的优点，并可以在手机或移动设备的app上查看测试结果。
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公开(公告)号：CN109728428A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811654146.2
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于亚波长结构调制太赫兹辐射的光电导天线的制备方法，包括：步骤1：在GaAs衬底(1)的表面生长GaAs薄膜(2)；步骤2：根据第一预设图案在GaAs薄膜(2)的表面生长金属纳米阵列(3)；步骤3：根据第二预设图案对GaAs薄膜(2)的表面进行刻蚀，并依次沉积钛和金以形成电极(4)；步骤4：引出电极(4)并进行封装。本公开还提供了一种根据上述制备方法形成的基于亚波长结构调制太赫兹辐射的光电导天线。
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公开(公告)号：CN109686806A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811514186.7
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种可见光至近红外的单芯片集成的光谱探测器装置及制备方法，其中，该装置包括：外延片，包括上部的N接触层；胶状量子点阵列组成的胶状量子点滤光层，位于N接触层上。其制备方法中，胶状量子点由可以吸收可见光至近红外波段的硫化镉、硒化镉、硫化铅量子点纳米颗粒与对苯二胺混合后溶入高分子聚合物聚乙烯醇缩丁醛氯仿溶液中制成。本发明提供的焦平面器件的优点在于能够将多个不同波段的入射光进行分立同步采集，利用波长复用原理对原始光谱进行重建，同时获取多个波段的目标信息，有效地消除多色探测目标时遇到的干扰，提高对目标的高分辨效果。
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公开(公告)号：CN109524501A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811150076.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105
Abstract: 一种空间全方位探测的可见光至近红外探测器的制备方法，包括：步骤A：基于外延片制备可见光至近红外平面单管阵列；步骤B：制备附有金属电极的刚性基底；步骤C：将步骤A制成的所述平面单管阵列倒扣焊接在附有金属电极的刚性基底上；步骤D：通过机械外力的作用将刚性基底折叠成立体形状；以及步骤E：将刚性基底的金属电极引出并封装，制成空间全方位探测的可见光至近红外探测器；所述方法所制备的探测器具有对复杂环境的超强适应性，可以实现对可见光和近红外两种波段的探测，可以不通过机械扫描，并保证成像质量、精度等高性能的前提下实现对目标的全方位监控。
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公开(公告)号：CN106684180B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201611180940.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器的制备。本发明通过采用N结构II类超晶格材料作为吸收层，同时引入吸收增强层，使得器件在目标波长处可获得高达80％的高量子效率，并且在目标波长附近体现了良好的窄带宽特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108209941A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810007103.9
申请日：2018-01-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本公开提供一种血氧探测器探测单元，包括：信号发射端，用于向人体皮肤方向发射红外线，其由下自上包括：红外线发射模块，用于向人体皮肤方向发射红外线；以及红光发射模块，用于向人体皮肤方向发射红光；以及信号接收端，与所述信号发射端相邻设置，用于接收来自人体皮肤方向的，由所述信号发射端发出，照射人体皮肤后反射回的红外线，根据红外线和红光吸收率的差值，计算出人体皮肤中的血氧饱和度。信号发射端和信号接收端相邻设置，且血氧探测器探头单元整体尺寸很小，在人体运动过程中，信号发射端和信号接收端相对皮肤而言只发生了极小的相对运动，因此光电信号可以保持稳定。
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公开(公告)号：CN105609589B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610065321.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/16 , H01L21/306 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括：生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。
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公开(公告)号：CN107306011A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610251536.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 一种激光器的侧边耦合光栅的制备方法，包括步骤1：刻蚀制备激光器脊条波导，在脊条波导样品上做好电子束光刻对准标记并涂上光刻胶；步骤2：对涂上光刻胶的脊条波导两侧进行初步电子束曝光；步骤3：确定电子束曝光后的光栅掩膜与脊条波导的距离偏差，并在光栅版图中修正这一偏差；步骤4：利用修正的光栅版图对样品进行正式电子束曝光并显影；步骤5：溅射金属并进行剥离，形成侧边耦合光栅。通过该制备方法，能够制备紧靠脊条波导的完美反馈光栅，为激光器的分布反馈选模提供良好的结构基础，并减少了电子束曝光的时间，降低成本。
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公开(公告)号：CN105609589A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610065321.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/16 , H01L21/306 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , B81C1/00 , C23C16/44 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/30608 , H01L21/30617
Abstract: 本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括：生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。
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公开(公告)号：CN105489716A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610006965.0
申请日：2016-01-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法，包括：在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片，光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜，刻蚀至LED外延片下接触层；光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层；形成图形化的金属图形，退火合金化之后形成欧姆接触；刻蚀环型下台面，暴露出牺牲层；腐蚀牺牲层并钻蚀一定长度；旋涂柔性聚合物材料；刻蚀内环和部分金属电极上方覆盖的聚合物材料，暴露出部分金属电极以制备金属互连；金属溅射并进行图形化处理制备LED单元互联；旋涂柔性聚合物材料；暴露出内环牺牲层；腐蚀剩余的牺牲层；剥离柔性聚合物包裹的无机LED阵列，完成无机柔性LED阵列的制备。
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