公开(公告)号：CN102163638A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110067715.5

申请日：2011-03-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马绍栋 ,  付非亚 ,  王宇飞 ,  王海玲 ,  彭红玲 ,  郑婉华

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明，解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题，达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。

公开(公告)号：CN102110595A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010595707.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郑婉华 ,  彭红玲 ,  渠宏伟 ,  马绍栋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。

公开(公告)号：CN101882638A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010196135.1

申请日：2010-06-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马绍栋 ,  郑婉华 ,  陈微 ,  周文君 ,  刘安金 ,  彭红玲

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0256

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，包括：一下电极；一N型材料层，该N型材料层制作在下电极上；一第一TCO薄膜层，该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上；一第二TCO薄膜层，该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上；一P型材料层，该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上；一上图形电极，该上图形电极制作在P型材料层上。

公开(公告)号：CN101667715A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200810119581.5

申请日：2008-09-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 渠红伟 ,  郑婉华 ,  刘安金 ,  王科 ,  张冶金 ,  彭红玲 ,  陈良惠

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)，P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N型DBR(7)，SiO 2 掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计，便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进一步提高单模输出功率。

公开(公告)号：CN1953217A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510086639.7

申请日：2005-10-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  倪海桥 ,  韩勤 ,  张石勇 ,  吴东海 ,  赵欢 ,  杨晓红 ,  彭红玲 ,  周志强 ,  熊永华 ,  吴荣汉

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

Abstract: 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。

公开(公告)号：CN1786107A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200410009992.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  方志丹 ,  倪海桥 ,  韩勤 ,  龚政 ,  张石勇 ,  佟存柱 ,  彭红玲 ,  吴东海 ,  赵欢 ,  吴荣汉

IPC: C09K11/74

Abstract: 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。