公开(公告)号：CN112397369A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010766400.9

申请日：2020-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂山和基 ,  永关一也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中，基于所获得的位置信息，调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中，将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中，将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。

公开(公告)号：CN111133562A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201980004516.4

申请日：2019-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤道茂 ,  永关一也 ,  金子彰太

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。

公开(公告)号：CN100541720C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710140293.3

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。

公开(公告)号：CN100495654C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480003417.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。

公开(公告)号：CN1602542A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824576.8

申请日：2002-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  三村高范 ,  宫岛弘树

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083

Abstract: 一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体(212)的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸(R)的凹部(220)。在该方法中，首先在被蚀刻体(212)的表面上形成具有与凹部(220)相对应的开口部分的掩模(214)。接着，形成有掩模(214)的被处理体(212)设置于等离子体用的处理容器内，采用等离子体在处理容器内进行蚀刻。在本发明中，掩模(214)的材料采用与被蚀刻体(212)相同的材料，比如硅(Si)。由此，上述那样的凹部(220)按照实质上底面(222)不形成副沟槽形状(周缘部的深度大于中间部的，经蚀刻的形状)的方式形成。

公开(公告)号：CN1557017A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。

公开(公告)号：CN1459125A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN01815651.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 三村高范 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明提供一种硅高速腐蚀方法，与可保持真空的处理室内的处理空间接触，来设置具有硅区域的被处理对象W，在该处理空间内导入腐蚀气体，产生气压为13～1333Pa(100mTorr～10Torr)的气体环境，通过施加高频电力产生等离子。在该等离子中，离子等带电粒子的个数与基团的个数之和变大，使硅区域的腐蚀比以前高速化。

公开(公告)号：CN118969591A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411036974.5

申请日：2019-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤道茂 ,  永关一也 ,  金子彰太

IPC: H01J37/32 ,  B22F10/28 ,  B22F10/366 ,  B33Y10/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。

公开(公告)号：CN111133562B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201980004516.4

申请日：2019-05-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤道茂 ,  永关一也 ,  金子彰太

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，该部件的形成方法包括根据所述部件的表面状态一边供给该部件的原料，一边对所述原料照射能量束的工序。

公开(公告)号：CN111146086B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201911022204.4

申请日：2019-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 玉虫元 ,  永关一也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给高频电力的步骤的执行过程中，对基片支承台的下部电极施加负极性的直流电压。接着，为了生成负离子而停止对下部电极进行的负极性的直流电压的施加和高频电力的供给。接着，为了将负离子供给到基片，在停止了高频电力的供给的状态下，对下部电极施加正极性的直流电压。由此，能够实现使基片的正电荷量减少和提高蚀刻速率。