公开(公告)号：CN100345257C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。

公开(公告)号：CN1557017A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。