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公开(公告)号：CN101042992A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089464.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，其包括一体地附设在处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室。附属室横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域。在处理区域与等离子体发生区域之间配设具有绝缘性表面的分隔板。分隔板具有横跨与多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路。处理气体在通过等离子体发生区域时被激发，通过气体流路而被供给处理区域。
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公开(公告)号：CN1315161C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN03806219.4
申请日：2003-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 成膜方法包括预备阶段(S10)和处理阶段(S20)。在预备阶段(S10)中，根据表示膜厚和处理时间的关系的第一关系式及表示大气压和膜厚的关系的第二关系式，导出用于与大气压相对应来修正处理时间的处理时间修正式(S11～S14)。在处理阶段(S20)中，根据导出了的处理时间修正式及现在的大气压的测定结果，修正处理时间，根据修正了的处理时间，进行成膜(S21～S23)。
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公开(公告)号：CN1602541A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02805938.7
申请日：2002-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/324 , C23C16/52 , F16K51/02 , F16K1/52 , G05D16/16
CPC classification number: G05D16/166
Abstract: 本发明涉及一种阀装置和热处理装置，在热处理炉(1)的排气系统(12)的配管(13)上安装的主阀(18)的阀壳(21)上，形成两条旁路(32、33)。各旁路(32、33)由安装在阀壳(21)上的辅助阀(30、31)开闭。其中一个辅助阀(31)具有调节流量的结构。主阀(18)使用设置在主阀上的固定板(54)，由螺栓和螺母固定在热处理装置的箱体(14)上。本发明可以简化排气系统的回绕配管，提高热处理装置的维修操作性。
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公开(公告)号：CN112786425B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202011169858.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制在等离子体生成部沉积膜的等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置包括：具有长度方向的处理容器；对上述处理容器内供给原料气体的原料气体供给部；等离子体分隔壁，其沿上述处理容器的长度方向设置，在内部形成等离子体生成空间，并具有使上述等离子体生成空间与上述处理容器内连通的开口；反应气体供给部，其能够对上述等离子体生成空间供给与上述原料气体反应的反应气体；和开闭上述开口的开闭部。
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公开(公告)号：CN118053727A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311477502.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够在基片上生成等离子体来对基片实施处理的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器；能够插入到所述处理容器中的基片保持件，其能够分多层载置多块基片；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转轴；用于向所述处理容器内供给处理气体的气体供给管；用于对所述处理容器内进行排气的排气部；配置在所述处理容器的外侧的一对电极，其与所述处理容器的中心相对地配置；和高频电源，其用于向一对所述电极施加高频电功率从而在所述处理容器内生成电容耦合等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117373887A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310746605.4
申请日：2023-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制划分壁的损伤。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；内部电极，其以能够装卸且气密的方式贯通所述划分壁插入到所述内部空间，所述内部电极被供给RF电力；以及外部电极，其设置于所述划分壁的外部。
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公开(公告)号：CN115704095A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210916231.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/34 , C23C16/503 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供能够提高等离子体密度的等离子体处理装置和成膜方法。等离子体处理装置在基片形成膜，并包括：设置于处理容器内的反应管；晶舟，其保持基片，并能够被送入和送出上述反应管内；等离子体生成部，其与上述反应管连通，从气体生成等离子体；气体供给部，其对上述等离子体生成部供给上述气体；电极设置部，其以夹着上述等离子体生成部的方式设置，并包括电极；RF电源，其与上述电极连接，对上述电极供给高频；线圈，其与上述电极隔开间隔地设置于上述电极设置部内；以及直流电源，其与上述线圈连接，对上述线圈供给直流电流。
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公开(公告)号：CN113964009A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110777048.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种温度传感器和等离子体处理装置，能够提供能使在生成等离子体时产生的高频噪声减少的技术。本公开的一个方式的温度传感器是测定用于进行等离子体处理的处理容器内的温度的温度传感器，所述温度传感器具有：热电偶，其在所述处理容器内具有测温触点；保护管，其用于收容并保护所述热电偶；以及电磁屏蔽件，其以覆盖所述热电偶的方式设置在所述保护管内。
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公开(公告)号：CN113948362A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110748982.2
申请日：2021-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。
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公开(公告)号：CN102738045B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210093659.7
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67303 , H01L21/67309
Abstract: 本发明提供基板保持件、立式热处理装置及立式热处理装置的运转方法。基板保持件以架状保持多张基板，为了对这些基板进行热处理而被搬入到立式热处理炉内，该基板保持件包括能够相互分割地合体的第一保持件部分和第二保持件部分，第一保持件部分和第二保持件部分分别具备：相互上下对置的顶板和底板；支柱，其沿着顶板和底板各自的周缘部而设置有多个，将该顶板与底板相互连结；保持部，其设置在多个支柱各自之中相互对应的位置，用于保持各基板的下表面，第一保持件部分和第二保持件部分各自的保持部以如下方式设定高度位置，即：在第一保持件部分和第二保持件部分相互合体时，使得保持于第一保持件部分的基板和保持于第二保持件部分的基板交替地排列。
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