一种中子探测器
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103336296A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310211429.0

    申请日:2013-05-31

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及核辐射探测领域,尤其涉及一种探测慢中子和热中子的中子探测器。所述探测器具有金刚石薄膜、含硼薄膜和复合电极构成。被探测的中子经所述硼薄膜转化为带电的α粒子,所述α粒子电离所述金刚石,在所述复合电极上产生电流信号,从而实现对中子的探测。相对于已有的氦介质中子探测器,本发明可显著降低成本,并且提高探测效率。

    一种ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN101866860B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201010186273.1

    申请日:2010-05-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法,属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是:采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法,在其上制备n型ZnO薄膜,同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极,最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。

    环化聚丙烯腈复合多金属氧化物的制备方法

    公开(公告)号:CN102451762A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201010526604.1

    申请日:2010-11-01

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E60/364

    Abstract: 本发明涉及一种能利用可见光催化分解水制氢的复合型光催化剂体系的制备方法。该体系以环化聚丙烯腈为基体,以铁系氧化物为主体,复合其他金属氧化物,并以少量贵金属修饰而成。其中,铁系氧化物包括三价铁与二价铁,具有一定磁性;其他金属氧化物含以下一种或几种金属元素:镁、钙、锶、钡、铬、锰、钴、镍、铜、锌、镓、镉、铟、锡,其中,铜包括1价和2价,锡包括2价和4价;修饰的贵金属包括以下一种或几种:钌、铑、钯、银、金、铂。所得环化聚丙烯腈和贵金属修饰的多金属复合铁系氧化物通过热处理后,形成复合型光催化剂体系,用于光解水制氢,其催化活性优良,光解水产氢率可达550μmol/(g.h)。催化后,催化剂易于回收处理,稳定性好,耐用性强。

    一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101323971A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200810040639.7

    申请日:2008-07-16

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法,该方法主要步骤:硅衬底预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底;在氢气和丙酮的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长,然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜;再在自支撑金刚石膜上用直流磁控溅射法制备ZnO薄膜,先在Ar、O2气氛中溅射沉积ZnO缓冲层,然后进行ZnO主层的沉积。本发明制作工艺简化,成本低,有利于促进高质量ZnO薄膜器件的大规模应用。ZnO薄膜晶粒尺寸小,薄膜的晶体质量高,表面粗糙度低。

    紫外光探测器的制备方法
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100409460C

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200610028171.0

    申请日:2006-06-27

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法,属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置,在硅片衬底上(100)晶面上淀积金刚石薄膜,再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极,并经光刻工艺形成指宽和间距均为25微米的叉指状梳状电极,并用镁铝丝引线引出,最终制成金刚石膜紫外光探测器。此金刚石膜紫外光探测器能达到的性能指标为:暗电流<1nA/cm2,响应时间接近10-10秒,其综合性能优于其他紫外光探测器。

    间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号:CN1928166A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610029238.2

    申请日:2006-07-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种在硅基片上通过间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法,属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明利用传统的、现有的热丝化学气相沉积装置,采用间歇压循环工艺生长金刚石薄膜的方法,即间歇性地通入氢气对金刚石薄膜进行刻蚀,以减少薄膜中石墨的含量;本发明方法可制得具有优良电学性能的、适合于制作探测器的金刚石薄膜材料。

    一种微条气体室探测器复合基板的制造方法

    公开(公告)号:CN1259269C

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200410016260.4

    申请日:2004-02-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器复合基板的制造方法,它是采用射频等离子体辅助化学气相沉积法由D263玻璃上沉积类金刚石膜而制成。对光学玻璃D263预处理,放入高真空反应室中沉积,然后在氮气气氛炉中退火处理而制得复合基板。本发明通过施加偏压、增加磁场和退火处理来获得高质量类金刚石膜/D263玻璃复合基板,可克服薄膜与衬底应力大、结合力差等问题,使探测器电荷积累效应小和基板稳定性好。本发明制作工艺简单、制作周期快、成本低廉和实用性强。

    一种微条气体室探测器基板的制造方法

    公开(公告)号:CN1558711A

    公开(公告)日:2004-12-29

    申请号:CN200410016257.2

    申请日:2004-02-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法,它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理,然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气,经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚,再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板,可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性,是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。

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