公开(公告)号：CN100355036C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410006626.X

申请日：2004-02-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘 ,  石部真三 ,  大塚茂树 ,  山口惠一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。

公开(公告)号：CN1983612A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166709.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  森田佑一 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。

公开(公告)号：CN1287434C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200310120292.4

申请日：2003-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L21/50 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，谋求具有球状导电端子的BGA型半导体装置的成品率和可靠性的提高。由多个销(21)支承存在弯曲的半导体晶片(1a)，并形成自加热的载物台(20)分开的状态。而后，使用半导体晶片(1a)上方配置的IR加热器(45)、与半导体晶片(1a)的侧面相对的侧面加热器(47)加热，在半导体晶片(1a)整体照射相同的热辐射。由此，半导体晶片(1a)上多个导电端子(9)的回流焊接被均匀地进行，其形状也均匀地形成。

公开(公告)号：CN1257550C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN03122991.3

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。

公开(公告)号：CN1753153A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510106862.3

申请日：2005-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  山田紘士 ,  饭田正则

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。

公开(公告)号：CN1722419A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510077811.2

申请日：2005-06-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，不会使制造成本极度增加而提高可靠性。在形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)的表面形成树脂层(12)及支承体(13)。接着，形成贯通树脂层(12)及支承体(13)的开口部(15)，使焊盘电极(11)露出。然后，在开口部(15)露出的焊盘电极(11)上形成金属层(16)，进而形成导电端子(17)。最后，通过切割将半导体衬底(10)分割成半导体芯片(10c)。在将该半导体装置安装于未图示的电路衬底上时，将半导体芯片(10c)的导电端子(17)和未图示的电路衬底的外部电极电连接。

公开(公告)号：CN100527401C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610091292.X

申请日：2006-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森田佑一 ,  石部真三 ,  野间崇 ,  大塚久夫 ,  高尾幸弘 ,  金森宽

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。其是可靠性高的BGA型的半导体装置。其具有：形成在半导体衬底(1)之上的焊盘电极(4)；覆盖该焊盘电极(4)的端部并在上述焊盘电极(4)之上具有第一开口部(6)的第一钝化膜(5)；经由上述第一开口部(6)而形成在上述焊盘电极(4)之上的镀敷层(7)；覆盖上述第一钝化膜(5)的端和上述镀敷层(7)之间的上述焊盘电极(4)的露出部(8)且进而覆盖上述镀敷层(7)的端部并在上述镀敷层(7)上具有第二开口部(10)的第二钝化膜(9)；经由第二开口部(10)而形成在上述镀敷层(7)上的导电端子(11)。

公开(公告)号：CN100446229C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510077811.2

申请日：2005-06-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种封装型半导体装置及其制造方法，不会使制造成本极度增加而提高可靠性。在形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)的表面形成树脂层(12)及支承体(13)。接着，形成贯通树脂层(12)及支承体(13)的开口部(15)，使焊盘电极(11)露出。然后，在开口部(15)露出的焊盘电极(11)上形成金属层(16)，进而形成导电端子(17)。最后，通过切割将半导体衬底(10)分割成半导体芯片(10c)。在将该半导体装置安装于未图示的电路衬底上时，将半导体芯片(10c)的导电端子(17)和未图示的电路衬底的外部电极电连接。

公开(公告)号：CN101064270A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610162594.1

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层(R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN100334723C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410038457.8

申请日：2004-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  铃木彰 ,  篠木裕之

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14806 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。