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公开(公告)号：CN100481374C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410101909.2
申请日：2004-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8234 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/76229 , H01L21/823481 , H01L27/115
Abstract: 公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。
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公开(公告)号：CN101348696A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810081833.X
申请日：2008-04-08
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09J11/08 , C09J9/00 , C09J163/00 , C09J133/02 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/13394 , C09D105/12 , G02F2202/28 , Y10T428/1059 , Y10T428/31971
Abstract: 本发明公开了一种粘合组成物及其制备方法以及一种具有该粘合组成物的显示装置及其制造方法。在一个实施例中，粘合组成物包括凝胶材料和粘合树脂，凝胶材料和粘合树脂的重量比在大约1∶10至大约1∶100的范围内。
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公开(公告)号：CN100421175C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03119863.5
申请日：2003-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/785 , G11C29/72 , G11C2029/1208
Abstract: 一种半导体存储器件以及其中可用的缺陷单元地址编程电路。已封装的半导体存储器件包括：存储单元阵列；多个冗余存储单元，用于修复缺陷存储单元；比较器，用于比较在测试已封装的半导体存储器件的测试过程中从存储单元输出的数据，并产生比较对应信号；模式设置寄存器，用于存储外部施加的缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，当比较一致信号指示检测到缺陷存储单元时，锁存来自地址产生电路的内部地址，并且对缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址解码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时，产生冗余存储单元选择信号。
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公开(公告)号：CN1837905A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610059185.9
申请日：2006-03-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Inventor： 金载勋
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , H01L29/786 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/133305 , G02F1/133377 , G02F1/1341 , G02F2202/023 , G02F2202/28
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，其包括：第一绝缘基板；与第一绝缘基板相对设置的第二绝缘基板；设置于所述第一绝缘基板和第二绝缘基板之间的液晶层；在所述第一绝缘基板和第二绝缘基板之间限定并保持基本均匀的间隙的间隔物；以及，设置在所述第二绝缘基板的表面上并将所述间隔物附着到所述第二绝缘基板的高分子量层。
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公开(公告)号：CN1722692A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084660.3
申请日：2005-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/28
CPC classification number: H04W48/14 , H04L69/16 , H04L69/161 , H04L69/167 , H04W8/26 , H04W80/04
Abstract: 一种方法、介质与系统，用来在具有能够相互通信的多个节点的网络中连接到通信系统。当从外部网络收到路由器广告(RA)消息时，节点向该外部网络请求标识符，然后该节点利用所收到的标识符，通过该外部网络连接到通信系统。一种方法、介质与系统，用来在具有能够相互通信的多个节点的网络中从外部网络的服务器分派网络标识符(前缀)，从而节点能够与该外部网络通信。从外部网络的服务器向节点发送网络中节点所使用的前缀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112786584B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011208930.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D89/10
Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。
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公开(公告)号：CN116894417A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310348186.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 提供了单元库和计算系统。所述单元库存储在计算机可读存储介质中。所述单元库被配置为存储：根据标准单元中包括的晶体管的阈值电压的所述标准单元的第一延迟信息；以及根据所述标准单元中包括的所述晶体管的迁移率的所述标准单元的第二延迟信息。
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公开(公告)号：CN112786584A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011208930.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。
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公开(公告)号：CN107665268A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628517.9
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , G06F2217/78 , G06F2217/82 , G06F2217/84
Abstract: 提供了通过考虑局部布局效应来设计集成电路(IC)的系统和方法。设计IC的方法可以放置预放置单元的实例以便减少局部布局效应(LLE)引起结构的发生。该方法可以从放置的每个实例的外围布局中提取实例的环境以估计实例的LLE，由此分析IC的性能。
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