公开(公告)号：CN100421175C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN03119863.5

申请日：2003-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载勋 ,  徐东一 ,  吴孝镇

IPC: G11C11/34 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/72 ,  G11C2029/1208

Abstract: 一种半导体存储器件以及其中可用的缺陷单元地址编程电路。已封装的半导体存储器件包括：存储单元阵列；多个冗余存储单元，用于修复缺陷存储单元；比较器，用于比较在测试已封装的半导体存储器件的测试过程中从存储单元输出的数据，并产生比较对应信号；模式设置寄存器，用于存储外部施加的缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，当比较一致信号指示检测到缺陷存储单元时，锁存来自地址产生电路的内部地址，并且对缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址解码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时，产生冗余存储单元选择信号。

公开(公告)号：CN1441437A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03119863.5

申请日：2003-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载勋 ,  徐东一 ,  吴孝镇

IPC: G11C11/34 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/72 ,  G11C2029/1208

Abstract: 一种半导体存储器件以及其中可用的缺陷单元地址编程电路。已封装的半导体存储器件包括：存储单元阵列；多个冗余存储单元，用于修复缺陷存储单元；比较器，用于比较在测试已封装的半导体存储器件的测试过程中从存储单元输出的数据，并产生比较对应信号；模式设置寄存器，用于存储外部施加的缺陷单元地址编程控制信号；地址产生电路，用于产生内部地址；缺陷单元地址编程电路，当比较一致信号指示检测到缺陷存储单元时，锁存来自地址产生电路的内部地址，并且对缺陷单元地址编程；以及缺陷单元地址解码电路，用于当从地址产生电路输出的内部地址和从缺陷单元地址编程电路输出的缺陷单元地址相对应时，产生冗余存储单元选择信号。