公开(公告)号：CN100481374C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410101909.2

申请日：2004-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张永官 ,  李昌炫 ,  金载勋

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。

公开(公告)号：CN1630058A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101909.2

申请日：2004-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张永官 ,  李昌炫 ,  金载勋

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 公开了一种具有自对准栅导电层的半导体器件及其制造方法。在本发明的某些实施例中，在半导体衬底上形成多个场隔离图形，以在半导体衬底中限定多个有源区。然后通过例如热退火工艺增加场隔离图形的密度。然后在各个有源区上形成多个栅绝缘图形。然后在各个栅绝缘图形上形成多个第一导电图形。