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公开(公告)号：CN115132742A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210291326.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C5/02 , G11C8/14 , G11C5/06 , G11C7/18
Abstract: 半导体装置包括：包括外围电路的下芯片结构、下芯片结构上的第一存储器芯片结构、以及第一存储器芯片结构上的第二存储器芯片结构。第一存储器芯片结构包括第一堆叠结构和第一竖直存储器结构。第一堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并在第一水平方向上延伸的第一栅极线。第一竖直存储器结构在竖直方向上穿透第一栅极线。第二存储器芯片结构包括第二堆叠结构和第二竖直存储器结构。第二堆叠结构包括在竖直方向上堆叠并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸的第二栅极线。第二竖直存储器结构在竖直方向上穿透第二栅极线。
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公开(公告)号：CN112242366A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010655330.X
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN112242158A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010636192.0
申请日：2020-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁结存储装置。所述磁结存储装置包括读出电路，其包括读出节点，所述读出节点连接到晶体管的第一端部并且被配置为根据磁结存储器单元的电阻改变所述读出节点的电压；选通电压生成器电路，其被配置为使用参考电阻器和参考电压来生成所述晶体管的选通电压；以及读取电路，其被配置为使用所述参考电压和所述读出节点的电压来从所述磁结存储器单元读取数据。
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公开(公告)号：CN111211102A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910859224.0
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/00 , H01L21/56 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种半导体封装以及半导体装置。一种半导体封装包括第一半导体芯片以及堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：衬底，具有第一通孔孔洞；绝缘间层，形成在衬底上且在绝缘间层的外表面中具有第一键合焊盘、以及连接到第一通孔孔洞且暴露出第一键合焊盘的第二通孔孔洞；以及插塞结构，在第一通孔孔洞及第二通孔孔洞内被形成为连接到第一键合焊盘。第二半导体芯片包括第二键合焊盘，第二键合焊盘键合到从第一半导体芯片的衬底的表面暴露出的插塞结构。
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公开(公告)号：CN107123443A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710067659.2
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种一次可编程存储器及其数据写入方法。所述一次可编程(OTP)存储器包括：OTP单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的位置处的多个OTP单元；写入电路，被配置为通过一次选择所述多条位线中的一条位线和对连接到选择的位线的选择的OTP单元进行编程来对所述多个OTP单元进行编程，其中，写入电路还被配置为检测选择的位线的电压电平，并当检测的电压电平指示选择的OTP单元处于已编程状态时选择另一位线。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103188509A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210589917.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/00 , H04N7/26 , H04N21/472
CPC classification number: H04N21/4307 , H04N13/139 , H04N13/156 , H04N13/167 , H04N13/341 , H04N13/398 , H04N21/4263 , H04N21/440263 , H04N21/440281 , H04N21/816 , H04N2013/40 , H04N2013/405
Abstract: 一种显示装置包括：多个接收单元，其接收多个内容；存储单元；多个缩放器单元，其用于减小多个内容的数据大小、将具有减小的数据大小的相应内容存储在存储单元中、以及根据输出时序来读取在存储单元中存储的相应内容；多个帧速率转换单元，其对相应的读取内容的帧速率进行转换；以及视频输出单元，其组合和显示从多个帧速率转换单元输出的相应内容。因此，可以将资源最小化。
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公开(公告)号：CN1961311B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200580017517.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06F21/10 , G06F2221/0759
Abstract: 提供了一种在装置和便携式存储器之间传输权限对象信息的方法和设备。该方法包括：从装置向便携式存储器发送预定请求；使用便携式存储器产生包括由该请求指定的权限对象的信息的当前许可状态格式；和从便携式存储器向装置发送所述当前许可状态格式。根据该方法和设备，当在装置和便携式存储器之间传输权限对象信息时减小了开销并增加了信息传输速度。
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公开(公告)号：CN101752246A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910253465.7
申请日：2009-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L25/00 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/3225 , H01L31/068 , H01L31/1864 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备。处理半导体晶片的方法包括：将晶片预加热到低于峰值温度的预热温度；以平均约每秒100℃或更高的第一变温速率将晶片从预热温度加热到峰值温度；以及在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后，立即以平均每秒约-70℃或更高的第二变温速率将晶片从峰值温度冷却到预热温度，其中峰值温度为约1100℃或更高。
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公开(公告)号：CN100583083C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580023400.3
申请日：2005-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06F21/10 , G06F17/30905 , G06F2221/0759 , G06F2221/2129 , G06F2221/2153 , G11B20/00086 , G11B20/0021 , G11B20/00543 , G11B20/00731 , Y10S705/902
Abstract: 一种在装置和便携式存储装置之间发送和接收转换格式的数字版权对象的设备和方法。所述用于处理数字版权对象的设备包括：发送/接收模块，从权限发布者接收以标记语言表达的版权对象；版权对象转换模块，将版权对象转换成具有用于与便携式存储装置通信的格式的帧；接口，与便携式存储装置连接；和控制模块，通过接口将所述帧提供给便携式存储装置，以及通过接口从便携式存储装置接收转换格式的版权对象。
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