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公开(公告)号：CN112242366A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010655330.X
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN114446908A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111004796.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/544
Abstract: 一种用于套刻测量的硅通孔(TSV)标记包括：第一TSV，在与衬底的顶表面垂直的第一方向上延伸穿过衬底的至少一部分；以及至少一个环形图案，在与衬底的顶表面平行的第二方向上与第一TSV分开并围绕第一TSV，至少一个环形图案布置在沿第一方向比第一TSV的顶表面低的层中，其中，内测量点对应于第一TSV，外测量点对应于至少一个环形图案，并且内测量点和外测量点被布置为提供对TSV的套刻测量。
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公开(公告)号：CN114093430A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110846347.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于通过使用神经网络生成目标产物的装置被配置为：通过使用预先训练的逆合成预测模型，预测用于生成目标产物的候选反应物组合；通过使用预先训练的反应预测模型，预测关于候选反应物组合中的每个候选反应物组合的预测产物；以及基于目标产物与预测产物的比较结果，确定候选反应物组合的实验优先级顺序。
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公开(公告)号：CN116916654A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310413995.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件和包括其的电子系统。该器件可以包括阵列区、延伸区和垫区，并且可以包括包含源极板的基板。该器件还可以包括：模结构，在基板的前表面上并包括在延伸区中交替地堆叠成阶梯形状的栅电极和模绝缘膜；延伸穿过模结构的沟道结构；延伸穿过模结构的单元接触；在模结构上的第一绝缘体；在基板的后表面上的第二绝缘体；在第二绝缘体上的垫；延伸穿过第一绝缘体的接触；以及在垫区中通过蚀刻第二绝缘体和基板而形成的通路。源极板在垂直方向上不与单元接触和接触重叠。
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公开(公告)号：CN113053910A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011515121.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：绝缘结构；多个水平层，在绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；导电材料图案，接触绝缘结构；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料，竖直结构包括竖直部分和突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，竖直部分的宽度比突出部分的宽度大，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242379A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010676514.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 提供了一种半导体器件及半导体封装件。所述半导体器件包括具有有源表面的半导体衬底，半导体元件设置在所述有源表面上。层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上。第一通路结构穿过所述半导体衬底。所述第一通路结构具有第一直径。第二通路结构穿过所述半导体衬底。所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径。所述第一通路结构具有与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。
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公开(公告)号：CN116744685A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310246521.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：外围电路结构，包括外围电路和第一接合焊盘，第一接合焊盘连接到外围电路；外围电路结构上的单元结构，单元结构包括接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘；以及单元结构上的焊盘结构。单元结构包括具有第一面以及与第一面相对的第二面的单元衬底、延伸穿过单元衬底并连接到电极层的第一接触插塞、以及延伸穿过单元衬底并连接到单元衬底的第二接触插塞。第一接触插塞和第二接触插塞中的每一个连接到焊盘结构，并且旁路过孔在第二面上与焊盘结构接触。
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公开(公告)号：CN115036297A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210061866.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065
Abstract: 一种半导体芯片结构包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一芯片区域和第一划线道区域；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括分别接合到所述第一芯片区域和所述第一划线道区域的第二芯片区域和第二划线道区域。所述第一半导体芯片包括第一接合布线层，所述第一接合布线层包括第一接合绝缘层和位于第一接合绝缘层中的第一接合电极。所述第二半导体芯片包括第二接合布线层，所述第二接合布线层包括第二接合绝缘层和位于所述第二接合绝缘层和抛光停止图案中的第二接合电极。所述第一接合布线层的所述第一接合绝缘层和所述第一接合电极分别混合接合到所述第二接合布线层的所述第二接合绝缘层和所述第二接合电极。
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公开(公告)号：CN114121968A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110483367.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
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公开(公告)号：CN113851448A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110709426.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本公开提供半导体器件、器件和封装。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层。
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