公开(公告)号：CN110197859A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910573499.8

申请日：2019-06-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  曾虹谙 ,  赵元遥 ,  毛鼎昌 ,  王冠宇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明请求保护一种工作在可见光波段的高带宽CMOS APD光电器件，包括P衬底，其还包括堆积于所述P衬底上的两个深N阱，所述深N阱上堆积有两个P阱层，在每个P阱层上分别堆积有一个N+层和P+层，将重掺杂的N+层与轻掺杂的P阱层形成PN结，即形成雪崩区，包括第一雪崩区和第二雪崩区，并设置两个光照窗口，当光源射入器件内部被光吸收区吸收时，产生光生载流子，光生载流子在电场作用下运动到第一雪崩区以及第二雪崩区参与倍增；还将所述所述P阱层的间隙两端加入STI保护环。该设计技术从PN结以及耗尽区尺寸两方面进行设计，降低器件的暗电流，提高其带宽。

公开(公告)号：CN109945899A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910219754.9

申请日：2019-03-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  赵元遥 ,  毛鼎昌 ,  周怡 ,  赵汝法 ,  袁军 ,  杨正琳

IPC: G01D5/249

Abstract: 本发明请求保护一种应用于输出缓冲器工艺角补偿的探测编码电路，包括工艺角探测电路、编码电路、逻辑控制电路。其中，工艺角探测电路由两个非门和四个相同尺寸的MOS管PM1—PM4、NM1—NM4构成，根据控制信号RST的变化输出工艺角电压曲线。编码电路包括4个相同比较器和触发器，将工艺角探测电路的输出信号与偏置电压作比较实现编码，本发明采用二极管连接的PMOS管产生偏置电压，通过输入信号Vpulse实现VP1/VP2、VN1/VN2的锁存。逻辑电路由6个与门和3个非门构成，通过逻辑组合锁存信号、DOUT和VDD产生两组3位的工艺角控制信号。通过减小输出信号各补偿类型下的Slew rate的差值达到工艺角补偿的目的。

公开(公告)号：CN108550592A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810281640.2

申请日：2018-04-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  王广 ,  陈婷 ,  曾虹谙 ,  王冠宇 ,  唐政维

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明请求保护一种低暗计数率CMOS SPAD光电器件，在常规的P+/N-well型的SPAD结构基础上加入一层P阱层，P阱层位于P+层和N阱层的中间；于此同时，采用N阱间隙作为该结构的虚拟保护环，也就是在PN结的两侧加入N阱，如摘要附图所示。入射光射入器件在中心N阱处被吸收并产生光生载流子，PN结两侧所采用的是P阱层与N阱层，此时的雪崩结为P-well/N-well结，由于是轻掺杂雪崩结，耗尽区宽度变宽，减少了载流子带间隧穿的概率，从而降低了暗计数率。同时采用虚拟保护环抑制PN结的边缘击穿，虚拟保护的形成原理是相邻N阱之间存在横向扩散，从而在PN结出形成了n-的虚拟保护环。该结构从保护环以及耗尽区宽度两方面进行设计，降低器件的暗电流，从而降低其暗计数率。

公开(公告)号：CN108054203A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711409355.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  于明道 ,  苗乃丹 ,  宋琦 ,  袁军 ,  王巍

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括重掺杂应变硅发射区层。本发明利用绝缘体衬底可以起到减小寄生电容、增强绝缘的作用，使双极晶体管达到的速度更快、频率更高，还可以与金属‑氧化物半导体场效应晶体管相结合，形成BiCMOS工艺，可广泛应用与集成电路的设计与制造中。

公开(公告)号：CN107887430A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711098314.X

申请日：2017-11-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  于明道 ,  苗乃丹 ,  周春宇 ,  宋琦 ,  王巍 ,  袁军

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1-yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0

公开(公告)号：CN107731817A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711057020.2

申请日：2017-10-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王冠宇 ,  苗乃丹 ,  于明道 ,  王巍 ,  袁军 ,  宋琦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0

公开(公告)号：CN104794294B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201510204629.2

申请日：2015-04-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  颜琳淑 ,  胡洁

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM‑APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101794387B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201010136388.X

申请日：2010-03-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 罗元 ,  张毅 ,  李玲 ,  胡章芳 ,  王巍 ,  杨红梅

IPC: G06T7/20

Abstract: 本发明请求保护一种智能康复系统及运用该系统进行肢体运动跟踪的方法，涉及计算机视觉领域。本发明以Camshift跟踪算法输出的质心位置为测量信号，采用Kalman滤波算法校正手心位置，克服了现有对运动肢体的跟踪方法中不能解决大面积肤色干扰问题的缺陷。此方法不受目标的形状变化、尺度大小变化的影响，具有较好的鲁棒性并进一步简化了运算量。

公开(公告)号：CN102708803A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210215834.5

申请日：2012-06-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  杨铿 ,  黄展

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种实现LED恒流驱动器灰度等级可控的方法，本方法的特征在于根据所需要的灰度等级，控制数据缓存器所能存储数据的位数，当需要m位灰度等级时（m

公开(公告)号：CN101539961A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910103705.5

申请日：2009-04-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  李文宬 ,  罗元 ,  陈丹 ,  蔡雪梅 ,  李凯 ,  曾勇 ,  彭能

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开了一个基于遗传算法的双频段Wilkinson功率分配器优化设计方法，涉及移动通信专用器件设计。针对工作于两个任意频率的双频等分Wilkinson功率分配器，传统数值计算方法在运用传输线理论进行结构参数计算时，需要求解超越方程，并且不能保证功分器的多个结构参数同时达到最佳值。本发明采用遗传算法，加入了最优保持操作、自适应概率的交叉和变异操作等，根据每个染色体所对应的适应度函数F，判断适应度值F是否收敛，输出最优解，由此确定功分器的最优电子参数。该方法只需要影响搜索方向的目标函数和相应的适应度，大大简化了运算量，能容易得到功率分配器最佳的物理参数。