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公开(公告)号：CN100477106C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510126871.9
申请日：2005-11-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L29/78 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101131926A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710141756.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si－CH3和Si－OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30％，并且绝缘膜中从C－H键、O－H键和Si－OH的Si－O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10％。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1787186A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510065046.2
申请日：2005-04-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L29/78 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。电子束等通过更致密的第二绝缘膜40被施加至该第一多孔绝缘膜38，由此能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。使该第一多孔绝缘膜38不被损坏，由此能够防止吸水性和密度增加，并且结果是能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1416158A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02118438.0
申请日：2002-04-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C－C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。
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公开(公告)号：CN1376740A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN01133846.6
申请日：2001-12-24
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/76807 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76835 , H01L2924/0002 , Y10S428/901 , Y10T428/249953 , Y10T428/249969 , Y10T428/249978 , Y10T428/249979 , Y10T428/2839 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成－X－键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1,其中X是(C)m,其中m是1～3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN102047411B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN200880129496.5
申请日：2008-06-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/316 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/3105 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L23/485 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明半导体装置的制造方法，包括：在基板(10)上形成由硅化合物类绝缘材料构成的绝缘膜(38、40、42)上的工序；在绝缘膜(38、40、42)上形成开口部(48)的工序；通过在含有烃类气体的环境中照射活性能量线，在开口部(48)的内面形成由结晶性SiC构成的阻挡层(50)的工序；以及在形成有阻挡层(50)的开口部(48)内，形成由铜构成的布线结构体(52)的工序。
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公开(公告)号：CN101627463B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780052132.7
申请日：2007-03-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3205 , C09D183/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76834 , C09D183/16 , H01L21/02123 , H01L21/02304 , H01L21/02343 , H01L21/312 , H01L21/3121 , H01L21/3125
Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101021680B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610105675.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/31695 , C08L83/16 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02282 , H01L21/3105 , H01L21/3121 , H01L21/3125 , H01L21/3185 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于形成曝光光线阻挡膜的材料，其包含由以下结构式(1)表示的硅化合物和由以下结构式(2)表示的硅化合物中的至少一种，其中R1和R2中至少之一由能够吸收曝光光线的取代基代替。结构式(1)(其中R1和R2可以相同或不同，并且每个都代表任选代替的氢原子、烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数)结构式(2)(其中R1、R2和R3可以相同或不同，R1、R2和R3中的至少一个代表氢原子并且其它的代表任选代替的烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数)。
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公开(公告)号：CN101641767A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780052187.8
申请日：2007-03-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09D9/00 , C11D9/36 , H01L21/304
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/044 , C11D3/162 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/3742 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。
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公开(公告)号：CN101627463A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780052132.7
申请日：2007-03-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3205 , C09D183/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76834 , C09D183/16 , H01L21/02123 , H01L21/02304 , H01L21/02343 , H01L21/312 , H01L21/3121 , H01L21/3125
Abstract: 本发明的半导体装置，具有铜布线层，其中，在该铜布线层上具有：涂布含有从由氨和有机碱所组成的组中选出的至少一种物质的组合物而成的层；位于该层上的含有硅的绝缘膜。从而能够得到具有与作为布线材料的铜的密接性优异的绝缘膜的半导体装置。
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