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公开(公告)号：CN101641767B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200780052187.8
申请日：2007-03-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09D9/00 , C11D9/36 , H01L21/304
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/044 , C11D3/162 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/3742 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。
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公开(公告)号：CN105580152B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201380079801.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0036 , H01L51/0003 , H01L51/0028 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , H01L51/441
Abstract: 涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚‑[N‑9'‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑(4',7'‑二‑2‑噻吩基2',1',3'‑苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液，使其干燥，暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中，由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。
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公开(公告)号：CN101641767A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780052187.8
申请日：2007-03-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/3065 , C09D9/00 , C11D9/36 , H01L21/304
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/044 , C11D3/162 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/3742 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , H01L21/02063 , H01L21/3105 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100429801C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN03819752.9
申请日：2003-08-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 吉川浩太
CPC classification number: H01L27/3283
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高精细的多像素，不发生颜色偏差，正极及负极间不发生短路等问题的，基板容易大型化，不需大型真空装置，材料利用效率高，可简便批量生产的高质量的，适于作显示器等使用的有机EL装置及其有效制造方法。本发明的有机EL装置，其特征在于，该有机EL装置配置在正极和负极之间，具有多个使该正极和该负极绝缘的存储单元，在通过该存储单元隔板划分的多个空隙内有有机EL发光材料而构成；至少1个上述空隙，在该空隙中的上述存储单元的隔板间的开口端侧的距离为d，该开口端侧以外的距离为d’，与该开口端侧相对的另一端侧的距离为d”时，d＞d”，并且，上述空隙中的上述存储单元的隔板间距离，从上述开口端侧向上述另一端侧渐渐减少，满足d-d’≥0。
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公开(公告)号：CN104737319A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201280076453.1
申请日：2012-10-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/426 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0047 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。
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公开(公告)号：CN104737319B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201280076453.1
申请日：2012-10-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/426 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0047 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。
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公开(公告)号：CN105580152A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201380079801.5
申请日：2013-09-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0036 , H01L51/0003 , H01L51/0028 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , H01L51/441
Abstract: 涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚-[N-9'-十七烷基-2,7-咔唑-交替-5,5-(4',7'-二-2-噻吩基2',1',3'-苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液，使其干燥，暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中，由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。
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公开(公告)号：CN1675965A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819752.9
申请日：2003-08-14
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 吉川浩太
CPC classification number: H01L27/3283
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高精细的多像素，不发生颜色偏差，正极及负极间不发生短路等问题的，基板容易大型化，不需大型真空装置，材料利用效率高，可简便批量生产的高质量的，适于作显示器等使用的有机EL装置及其有效制造方法。本发明的有机EL装置，其特征在于，该有机EL装置配置在正极和负极之间，具有多个使该正极和该负极绝缘的存储单元，在通过该存储单元隔板划分的多个空隙内有有机EL发光材料而构成；至少1个上述空隙，在该空隙中的上述存储单元的隔板间的开口端侧的距离为d，该开口端侧以外的距离为d’，与该开口端侧相对的另一端侧的距离为d”时，d＞d”，并且，上述空隙中的上述存储单元的隔板间距离，从上述开口端侧向上述另一端侧渐渐减少，满足d－d’≥0。
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