公开(公告)号：CN103430311A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200980104591.4

申请日：2009-02-02

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明是关于一种成像传感器像素阵列，其包含：半导体基板；多个有源像素；及至少一个黑色参考像素(500)。多个有源像素是设置在该半导体基板(505)中用于捕获一图像。每一个有源像素包含用于接收光的第一区域，该第一区域包含用于累积图像电荷的p-n结；及耦合至该第一区域以读出该图像电荷的有源像素电路。该黑色参考像素亦是设置在该半导体基板中用于产生黑色电平参考值。该黑色参考像素包含：用于接收光的第二区域(521)，该第二区域没有p-n结；及黑色像素电路(TX，RST，SF，SEL)，该黑色像素电路耦合至无该p-n结的该光电二极管区域(521)以读出黑色电平参考信号。

公开(公告)号：CN102214610B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201110096075.0

申请日：2011-04-01

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L27/144 ,  H01L29/36 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN102376732A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110261316.2

申请日：2011-08-08

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  W·郑 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14638

Abstract: 本发明涉及具有应力膜的背侧照明图像传感器。一种背侧照明(“BSI”)互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器包括安置于半导体层内的感光区及应力调节层。该感光区对入射于该BSI CMOS图像传感器的背侧上的光敏感以便收集图像电荷。该应力调节层安置于该半导体层的背侧上以建立促进光生电荷载流子朝该感光区迁移的应力特性。

公开(公告)号：CN102318064A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980105000.5

申请日：2009-02-04

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱卫东 ,  A·沙阿 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其包含至少一个设置在一半导体基板中的光敏元件。金属导体可设置在该半导体基板上。一滤光片可设置在至少两个单独的金属导体之间且一微透镜可设置在该滤光片上。可存在设置于这种金属导体与该半导体基板之间及/或单独的金属导体之间的绝缘体材料。该绝缘体材料可经移除以使得该滤光片可设置在该半导体基板上。

公开(公告)号：CN102217069A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145870.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。

公开(公告)号：CN102214610A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110096075.0

申请日：2011-04-01

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L27/144 ,  H01L29/36 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN102074567A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010564504.8

申请日：2010-11-16

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327

Abstract: 一种具有强化垫结构的背面照明成像传感器包括器件层、金属叠层、开口及框架。该器件层具有形成于该器件层的正面中的成像阵列，且该成像阵列调适成从该器件层的背面接收光。该金属叠层耦合至该器件层的正面，其中该金属叠层包括具有金属垫的至少一个金属互连层。开口从器件层的背面延伸至金属垫以曝露金属垫来用于引线接合。框架置于开口内以在结构上强化金属垫。

公开(公告)号：CN102007590A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980114512.8

申请日：2009-05-08

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： H·E·罗兹

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76805

Abstract: 本发明公开在栅极有源区域上的晶体管触点(270)，其包括形成于集成电路衬底上的晶体管栅极(250)。栅极绝缘体(230)形成于晶体管栅极(250)下，并帮助界定晶体管栅极的有源区域。绝缘层(260)形成于晶体管栅极上。金属触点插塞(270)形成于位于有源区域上的绝缘层的一部分中，使得金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触。

公开(公告)号：CN101978498A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200880126436.8

申请日：2008-12-17

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  真锅宗平 ,  H·E·罗兹 ,  钱卫东

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种像素阵列，其是使用基板形成的，该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽，这种金属化层被包含在该基板的前侧中，该感光区域是形成于该基板的后侧中，该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。

公开(公告)号：CN101939841A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104585.9

申请日：2009-02-02

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 代铁军 ,  戴幸志 ,  真锅宗平 ,  野崎秀俊 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像感测器像素(400)，其包括：一光电二极体(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极体区域是布置在一半导体晶粒中，用于回应于入射在该BSI成像感测器像素的一背侧上的光而蓄积一影像电荷。该像素电路包含电晶体像素电路，该像素电路是布置在该半导体晶粒的一前侧与该光电二极体区域之间的该半导体晶粒中。该像素电路的至少一部分重迭于该光电二极体区域。