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公开(公告)号：CN110866277A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911107523.5
申请日：2019-11-13
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种DaaS应用的数据集成的隐私保护方法，包括如下步骤，步骤一、在满足数据匿名的条件下，通过租户间多轮协作，每轮采用信息增益最大的属性加细数据集；步骤二、设定云服务提供商的信誉等级，并根据信誉等级划分云服务提供商；步骤三、对于低于预设信誉等级的云服务提供商，采用基于分割的隐私保护机制，隐藏数据之间的关联关系，并通过分组均衡化的方式，确保属性的值域均衡分布，防止云服务提供商泄露租户数据隐私；对于高于预设信誉等级的云服务提供商，采用分类索引树数据结构，验证云服务提供商返回数据的正确性及完整性。本发明通过分类索引树数据结构，使云租户有能力验证云服务提供商返回结果集的正确性及完整性。
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公开(公告)号：CN110866276A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911107507.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06F21/62
Abstract: 本发明属于数据的隐私保护的技术领域，具体涉及一种混合云环境下数据的隐私保护方法，包括如下步骤，步骤一、将DaaS承载平台作为混合云，根据高维稀疏数据的特征及数据发布模式，分析引入云平台后数据隐私泄露的潜在风险；步骤二、在匿名分割策略的基础上，通过贪心策略，分析数据可用性最大化的约束场景；步骤三、利用交互型差分隐私保护的统计搜索，分析加噪对数据可用性的影响；步骤四、针对并行化匿名分割造成的数据误分割，通过共享聚合簇，减小保留在私有云上的数据量。本发明能够减少信息损失，提高算法的执行效率，从而提高数据的隐私保护的可行性和实用性。
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公开(公告)号：CN107731901A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/7397
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107016861A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710396432.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习和智能路灯的交通信号灯智能调控系统，属于智能公共交通领域，本系统包括在交通道路路口设置路边单元和智能交通信号灯，其中路边单元包括图像采集模块、车辆检测模块、拥堵判定模块和通信模块；图像采集模块实时采集各个路口方向的道路交通图像并发送给车辆检测模块，获取每个路口方向的车流量，由同时拥堵判定模块结合车流量给出各路口方向的拥堵等级并通过通信模块传输至智能交通信号灯；由智能交通信号灯基于拥堵等级实时调整通行时间并显示。本发明实时检测道路交通状况，针对不同的路段可灵活设定不同的拥堵级别阙值，从而自动判断拥堵情况并对路口各个方向的通信时间进行调整，使交通信号灯更加灵活且智能。
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公开(公告)号：CN107731901B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116825813A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310760768.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来引入P型槽底杂质注入，由于电荷平衡，原来由N型漂移区内指向pwell区的电场线，终结到槽底部的P型槽底注入区，从来增大了终端结构指头区域的曲率结，缓解了因曲率半径小而导致的提前击穿情况，而且介质槽使得该连接处不再有电荷的运动，也能够避免电场线的集中造成的器件提前击穿，并且该结构可以将指头的面积变小，有利于减小芯片面积。
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公开(公告)号：CN112542855B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011451434.5
申请日：2020-12-10
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H02J3/38 , H02J3/24 , H02P9/10 , H02P21/14 , H02P21/13 , H02P101/15 , H02P103/10
Abstract: 本发明公开了一种双馈风力发电系统相量模型建模及仿真方法，包括步骤S1、通过电磁学、力学原理及数学公式推导，建立双馈感应电机模型和风力机模型；S2、设计带有转子电压补偿控制器和观测器的矢量控制策略，实现对双馈感应电机的解耦控制；设计风力机最佳转速控制策略，保证风轮始终在最佳转速下运行；S3、将各部分模型和控制器组成完整的双馈风力发电系统相量模型，在Matlab/Simulink中进行仿真，分析双馈风力发电系统相量模型的机电暂态特性。本发明的建模方法简单，无需对电力电子变换器详细建模。可采用较大的仿真步长，运行高效。适合双馈风力发电系统长时间低频机电暂态分析和稳定性研究，对大多数不需要关注谐波和变流器内部特性的情况均适用。
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公开(公告)号：CN115425023A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211163432.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L27/07 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种横向低功耗功率器件。本发明在传统器件的基础上，通过场氧化层上表面布置多晶硅电阻，多晶硅电阻的一端通过第一层金属与N+阳极区相连，另一端通过第一层金属和P+阳极区相连，从而在器件导通时调控阳极端电势分布，使器件更快转换为双极工作模式，以抑制snapback现象，在器件关断时，多晶硅电阻提供额外的电子抽取通路，以加快器件关断速度，减小关断损耗。本发明在器件机理上限制了snapback现象，减小了关断损耗；在版图布局上减小了芯片面积，提高了芯片面积的利用率；在工艺制作上能与传统CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN115377194A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211061410.8
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明器件包括自下而上设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、电荷储存区、栅极结构、层间介质层和金属发射极，存在两个凹槽，其间形成P型电位调制区。在反向阻断时，P+屏蔽区通过P型电位调制区与发射极连接，有利于屏蔽凹槽底部电场强度，提升了器件的可靠性；同时关断状态下，P型电位调制区可以提供额外空穴抽取路径，减小关断损耗；正向导通时，两个多晶硅栅耗尽P型电位调制区，使得P+屏蔽区处于浮空电位，从而抑制空穴被发射极收集，增强电导调制效应，提升了器件正向导通能力。制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，节约了器件制造成本。
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公开(公告)号：CN113555424A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110829052.X
申请日：2021-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
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