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公开(公告)号：CN103088404B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310009504.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN102925986B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210393420.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。
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公开(公告)号：CN102782797A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080064197.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 陆钧
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/053 , H01J2237/12 , H01J2237/24514
Abstract: 本发明揭示一种用于控制离子束的偏移、减速及聚焦的方法及设备。所述设备可包含分级偏移/减速透镜，其包含安置于离子束的相对侧的多个上部及下部电极，及用于调整施加至所述电极的电压的控制系统。使用可操作以独立地控制所述离子束的偏移及减速的一组“虚拟旋纽”来改变上部与下部电极对之间的电位差。虚拟旋纽包含：对束聚焦及残余能量污染的控制；对上游电子抑制的控制；对束偏移的控制；以及对所述束的最终偏移角度的微调，同时将所述束的位置约束于所述透镜的出口处。在另一实施例中，藉由在量测晶圆平面处所述束位置及角度的同时微调束偏移来进行此步骤。在又一实施例中，藉由调谐偏移因子以达成定中心于所述晶圆平面处的束来进行此步骤。
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公开(公告)号：CN102150283A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135584.0
申请日：2009-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/52 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明揭示一种用于形成板的方法及设备。将熔化物冷却，且在所述熔化物上形成板。此板具有第一厚度。随后使用例如加热器或熔化物使所述板自第一厚度变薄至第二厚度。所述冷却可经配置以允许溶质被截留于板的一区中，且可使此特定板变薄且移除溶质。所述熔化物可为例如硅、硅锗、镓或氮化镓。
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公开(公告)号：CN102017178A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114977.3
申请日：2009-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101416269B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200780009281.5
申请日：2007-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3007 , H01J2237/0492
Abstract: 本发明是有关于一种带状离子束植入机系统的架构，在一实施例中，架构包括：加速/减速平行化透镜系统，其用于接收扇型带状离子束且用于将扇型带状离子束至少平行化(且或许亦加速或减速)为实质上平行的带状离子束；以及能量过滤系统，其在加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由实质上平行的带状离子束植入的工件之前。加速/减速平行化透镜系统包括用于至少平行化(且或许亦加速或减速)扇型带状离子束的透镜以及用于使实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。平行化透镜允许高电流带状离子束以可下降至低至约200eV的能量来传送至工件。能量过滤系统提供实质上没有能量污染的实质上平行的带状离子束。
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公开(公告)号：CN107815728B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN106165110B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN107075715A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055969.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
Abstract: 一种装置可包括坩埚用以容纳熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面，壳体包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁并包括顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体，以及多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。
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公开(公告)号：CN103025924B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180022324.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。
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