公开(公告)号：CN101416269B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780009281.5

申请日：2007-01-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 坷若许·沙丹特曼德 ,  彼德·L·凯勒曼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/0492

Abstract: 本发明是有关于一种带状离子束植入机系统的架构，在一实施例中，架构包括：加速/减速平行化透镜系统，其用于接收扇型带状离子束且用于将扇型带状离子束至少平行化(且或许亦加速或减速)为实质上平行的带状离子束；以及能量过滤系统，其在加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由实质上平行的带状离子束植入的工件之前。加速/减速平行化透镜系统包括用于至少平行化(且或许亦加速或减速)扇型带状离子束的透镜以及用于使实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。平行化透镜允许高电流带状离子束以可下降至低至约200eV的能量来传送至工件。能量过滤系统提供实质上没有能量污染的实质上平行的带状离子束。

公开(公告)号：CN101416269A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780009281.5

申请日：2007-01-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 坷若许·沙丹特曼德 ,  彼德·L·凯勒曼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/0492

Abstract: 本发明是有关于一种带状离子束植入机系统的架构，在一实施例中，架构包括：加速/减速平行化透镜系统，其用于接收扇型带状离子束且用于将扇型带状离子束至少平行化(且或许亦加速或减速)为实质上平行的带状离子束；以及能量过滤系统，其在加速/减速平行化透镜系统的下游且在将由实质上平行的带状离子束植入的工件之前。加速/减速平行化透镜系统包括用于至少平行化(且或许亦加速或减速)扇型带状离子束的透镜以及用于使实质上平行的带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。平行化透镜允许高电流带状离子束以可下降至低至约200eV的能量来传送至工件。能量过滤系统提供实质上没有能量污染的实质上平行的带状离子束。

公开(公告)号：CN101427350A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780006744.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  乔纳森·英格兰 ,  拉力·史奈登 ,  拉塞尔·罗 ,  安东尼·雷诺 ,  艾力克斯恩德·培尔 ,  坷若许·沙丹特曼德

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J27/02 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。