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公开(公告)号：CN106796203B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201580055518.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种薄片形成设备、测量薄片厚度的系统及测定界面的方法。薄片形成设备包含用于固持材料熔体以及置于熔体内的固体薄片的坩埚、配置于所述坩埚上方用以自所述熔体形成薄片的结晶器和邻近所述结晶器配置的超声波测量系统，所述超声波测量系统包括至少一个超声波测量装置，其包含耦合到超声波换能器的波导以导引超声波脉冲穿过所述熔体。本发明的系统可用于在几乎任何类型的晶体固化应用与玻璃和冶金应用中，测定不同材料之间的界面位置。
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公开(公告)号：CN107466423A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , H01L21/68735
Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN106133208A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 一种用于控制熔体内的热流的装置。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。
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公开(公告)号：CN107466423B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC: H01L21/683
Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡盘。静电卡盘包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡盘提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡盘的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡盘的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN106165110A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用以使熔体成长为结晶片的结晶器，其可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述系统还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。
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公开(公告)号：CN106133208B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流，所以表面的热流会受规范。
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公开(公告)号：CN107815728A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结芯片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结芯片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN107810547A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示一种利用LED加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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公开(公告)号：CN106796203A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055518.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种薄片形成设备，薄片形成设备包含用于固持材料熔体以及置于熔体内的固体薄片的坩埚、配置于所述坩埚上方用以自所述熔体形成薄片的结晶器和邻近所述结晶器配置的超声波测量系统，所述超声波测量系统包括至少一个超声波测量装置，其包含耦合到超声波换能器的波导以导引超声波脉冲穿过所述熔体。
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公开(公告)号：CN107636818B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680026696.2
申请日：2016-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , D·杰弗里·里斯查尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 威廉·T·维弗 , 罗伯特·布然特·宝佩特
Abstract: 一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
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