公开(公告)号：CN103025924B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180022324.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  孙大伟 ,  布莱恩·海伦布鲁克 ,  大卫·S·哈维

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B11/007 ,  C30B15/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。

公开(公告)号：CN103025924A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180022324.X

申请日：2011-03-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  孙大伟 ,  布莱恩·海伦布鲁克 ,  大卫·S·哈维

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B11/007 ,  C30B15/06 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。