公开(公告)号：CN102623430A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210019869.1

申请日：2012-01-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 间部谦三 ,  井上尚也 ,  肱冈健一郎 ,  林喜宏

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1085 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：位于衬底上的多层布线层，并且其中堆叠了由布线和绝缘层构成的多个布线层；存储电路，其形成在衬底中的存储电路区域，并且具有嵌入在位于多层布线层中的凹部中的电容元件；逻辑电路，其形成在衬底中的逻辑电路区域；上部耦合布线，其堆叠在由下部电极、电容器绝缘膜和上部电极构成的电容元件上；以及帽盖层，其形成在构成逻辑电路的布线的上表面上。上部耦合布线的上表面和帽盖层的上表面构成同一平面。

公开(公告)号：CN102237272A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120262.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  川原润 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。

公开(公告)号：CN102074560A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010563443.3

申请日：2010-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川原润 ,  林喜宏 ,  久米一平

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极(下电极膜)、电容器绝缘膜和上电极(上电极膜)；并且进一步包括形成在电容元件和晶体管之间的至少一层镶嵌结构的铜互连(第二层互连)；互连中之一(第二层互连)的上表面和电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；并且至少一层铜互连(板线互连)形成在电容元件上。