公开(公告)号：CN113140612A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010055038.4

申请日：2020-01-17

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。

公开(公告)号：CN112768446A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910998781.0

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 史波 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片及其制备方法，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。

公开(公告)号：CN111504477B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010374872.X

申请日：2020-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  林苡任 ,  马颖江

IPC: G01J5/12

Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。

公开(公告)号：CN112289859A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910668737.3

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。

公开(公告)号：CN110534556A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910668260.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  陈道坤

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。

公开(公告)号：CN114122150A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010864533.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/328

Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。

公开(公告)号：CN112289859B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910668737.3

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。

公开(公告)号：CN111834336B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910321865.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  陈兆同 ,  陈道坤

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。

公开(公告)号：CN113948375A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202010684352.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 涉及半导体基材粒子掺杂技术领域，本申请公开一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用。所述一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。与现有技术相比，本申请降低了整个掺杂工艺条件及成本，有效提高有源区杂质激活率。

公开(公告)号：CN113809183A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010528815.2

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件及其制备方法，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。