离子注入制备氧化钛电极的红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106847950B

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201710252825.6

    申请日:2017-04-18

    Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器,在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜,氧化钛薄膜包括在位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜,使用氧化钛作为热敏层薄膜,且对部分氧化钛薄膜进行离子注入,使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜,代替现有技术中的金属电极,工艺简单,产能较高。还涉及上述探测器的制备方法,包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜,并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入,离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤,还包括去除光阻,沉积第二保护层,进行结构释放的步骤。

    一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法

    公开(公告)号:CN107055464A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710037813.1

    申请日:2017-01-19

    Abstract: 本发明涉及一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法,包括在包含读出电路为基底的晶圆上制作金属反射层,在金属反射层上依次沉积绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、电极保护层、热敏层和钝化层,所述牺牲层使用非晶碳薄膜,对所述牺牲层进行图形化处理,形成锚点孔,并利用化学机械抛光工艺对非晶碳牺牲层表面进行平坦化处理,结构更平整,在锚点孔底部除去撑层和绝缘介质层,露出下面的金属块,形成通孔,利用坞插塞工艺在通孔和锚点孔内沉积金属钨,电学连接更稳定,利用等离子灰化或等离子体刻蚀,去除牺牲层,结构释放更彻底。

    一种阵列型MEMS气体传感器
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106802339A

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201710037812.7

    申请日:2017-01-19

    Inventor: 王宏臣 邱栋

    CPC classification number: G01N33/0032

    Abstract: 本发明涉及一种阵列型MEMS气体传感器,包括包含读出电路的基底和设置基底上至少两个不同的呈矩阵排列的MEMS气体传感器,所述MEMS气体传感器表面涂覆渗透选择性薄膜,所述渗透选择性薄膜为二氧化硅薄膜或疏水性聚合物薄膜,不仅能够同时检测多种气体,而且能够保证气体传感器系统的稳定工作。

    一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构

    公开(公告)号:CN106276781A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610803895.1

    申请日:2016-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构,该方法包括:制备金属反射层;在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层;在金属反射层上制备通孔;在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层,或,在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层;在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层,得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构,可以使参考像元对接收到的辐射响应降低,提升微测辐射热计的高低温性能,并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。

    一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN106219480A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610532815.3

    申请日:2016-07-07

    CPC classification number: B81B7/0006 B81B7/0009 B81C1/00095 B81C1/00476

    Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法,涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后,解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题,以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题,并解决了器件像元缩小后,尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导,确保器件性能不降低的问题,并采用蜂窝状结构,增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽,反射层位于介质层中部凹槽的上表面,反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层,且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作,有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。

    一种高填充因子的微测热辐射计及制备方法

    公开(公告)号:CN106124066A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610410719.1

    申请日:2016-06-13

    CPC classification number: G01J5/20

    Abstract: 本发明涉及一种高填充因子的微测辐射热计及制备方法,在微测热辐射计的读出电路(1)上制作金属反射层(2)、绝缘介质层(3)、牺牲层(4)、支撑层(5)、金属电极层(6)、热敏层(8)、钝化层(9)之后,结合化学机械抛光、钨柱塞或者物理气相沉积、化学气相沉积、电化学沉积等技术制备高深宽比的电学连接结构,减小电学连接结构的面积,增大微测辐射热计的填充因子。基于微测辐射热计的红外或太赫兹探测器都是由大面阵的阵列微测辐射热计组成的,通过减小接触孔的面积,可以有效的提升填充因子,同时提升探测器的性能。使用该结构,可以在未来设计制作更小像元的微测辐射热计时成比例的缩小像元尺寸,而不会增加工艺的难度。

    一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN111896120A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010801748.7

    申请日:2020-08-11

    Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法,包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层,第二悬空层包括第二支撑层和线栅层;线栅层包括多个超像元区域,每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域,第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域,每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同,且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下,保证工作视场不受影响。

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