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公开(公告)号：CN108470735B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810317160.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。
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公开(公告)号：CN108470735A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810317160.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。
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公开(公告)号：CN111814334B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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公开(公告)号：CN116047250A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211634544.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提出了一种氮化镓功率器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间的检测方法，其特征在于，包括：在额定电压下，检测待测器件电学性能，获得第一转移特性曲线；在预设偏置电压下，检测所述待测器件的电学性能，获得第二转移特性曲线，所述预设偏置电压中的漏极预设偏置电压大于所述额定电压中的漏极额定电压；在所述预设偏置电压和预设辐照下，检测所述待测器件的电学性能，获得第三转移特性曲线；所述第一转移特性曲线和第二转移特性曲线，确定所述待测器件的无辐照安全电压；本申请基于所述第一转移特性曲线、所述第三转移特性曲线和所述无辐照安全电压，确定所述待测器件的单粒子烧毁效应的安全工作区间。
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公开(公告)号：CN111554354B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010317961.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111460751A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010229918.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/367 , G01T1/167
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。
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公开(公告)号：CN111460655A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN108037434B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711289526.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置，属于辐射效应及加固技术领域。解决无法准确定位半导体器件的单粒子敏感区域以及不同剂量下半导体器件安全工作区域与单粒子敏感性的变化趋势问题。包括：将开盖VDMOS器件设置在镜头视场内，进行第一次栅应力测试，确定第一栅极电流；进行第一次转移特性测试；通过激光微束扫描当漏极电压降低时，或确定第一栅极电流发生突变，或第一漏极电流发生突变，将当前扫描区域确定为单粒子效应敏感区域；进行第二次栅应力测试，将第二次栅应力测试的结果与第一次栅应力测试结果进行对比；并将进行第二次转移特性测试的测试结果与第一次转移特性测试的测试结果进行对比，确定单粒子效应类型。
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公开(公告)号：CN108305650A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810255158.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM工作状态的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：向FeRAM在设定电压下写入第一数据，将从所述FeRAM内回读的第二数据与所述第一数据进行匹配，将匹配合格的第一FeRAM在设定电压下写入第三数据，并将所述第一FeRAM通过辐射板放置在腔体内；在设定的工作方式下及设定的辐射剂量率下，对第一FeRAM辐照至设定的辐射剂量点，将完成辐射的所述第一FeRAM内回读第四数据，统计静态功耗电流、动态功耗电流与所述辐射剂量的关系，直至匹配不合格时结束试验，根据所述静态功耗电流，所述动态功耗电流和所述辐射剂量的关系确定所述FeRAM的工作状态。
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公开(公告)号：CN107832556A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711221596.8
申请日：2017-11-24
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 本发明提供了一种单粒子翻转评估方法及装置，涉及半导体器件抗辐射加固领域。用于解决现有技术中无法对单粒子翻转效应进行模拟和分析的问题。所述方法包括：建立静态随机存储器的几何模型；所述几何模型包括两层，其中敏感区域为第二层，位于第一层的下方；根据入射粒子的预设参数，通过蒙特卡洛方法对所述几何模型的敏感区域进行辐照，得到沉积能量；其中，所述入射粒子的预设参数包括所述入射粒子的个数和所述入射粒子的能量；若所述沉积能量达到预设临界能量，则确定所述入射粒子引起一次单粒子翻转。
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