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公开(公告)号：CN113279008A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110539929.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层，n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下：在洁净的玻璃片上放置GaN薄膜，在GaN薄膜表层均匀放置In颗粒，放置完成之后，在In颗粒表面放置CIGS太阳能电池，按压平整，在表面放上清洗干净的玻璃皿，将其放入真空干燥箱中，抽真空，加热一段时间，冷却到室温，得到氮化镓串联CIGS的器件。本发明的器件相对于Si基GaN器件，节能环保,且工艺简单。使用本发明作为阳极进行光合作用，具有光电流密度大，阴极电势高的优点，并且具有较强的光吸收系数，有利于解决新能源的开发利用以及对CO2带来环境问题的治理。
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公开(公告)号：CN109505010A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811615921.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝单晶晶须的制备方法，步骤如下：将高纯铝颗粒加入到刚玉舟中，与衬底一同放入氢化物气相外延设备的反应室，分别置于源区和生长区；抽真空后，控制源区温度为1400℃，生长区温度为1550℃，氩气为载气，氮气为氮源，在衬底上进行氮化铝晶须的制备，生长时间在40～90min；结束生长后，降至室温，取出样品，衬底表面有一层白色沉积物即为氮化铝单晶晶须。此方法生长氮化铝单晶晶须结晶质量高，且该方法具有操作简单，成本低，效率高，无危险气体等优点。
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公开(公告)号：CN105015407B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510497682.6
申请日：2015-08-12
Applicant: 河北工业大学
IPC: B60Q1/28 , F21S9/04 , F21V23/00 , F21W103/55 , F21W107/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为一种汽车日行灯，该日行灯的组成包括温差发电片、散热片、LED灯带、DC‑DC自动升降压模块和导热硅胶片；其连接关系为：温差发电片的热端通过导热硅胶片固定在汽车散热水箱进水管或散热器表面，温差发电片冷端通过导热硅脂与散热片粘接；温差发电片组的电能输出与DC‑DC自动升降压模块相连，DC‑DC自动升降压模块与LED灯带相连。本发明利用汽车行驶时散热水箱的多余热量使LED灯带发光，节能环保，对汽车能耗没有增加，并且结构简单，安装无需改动或破坏原车线路。
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公开(公告)号：CN106449873B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610864021.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/322
Abstract: 本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下：(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。
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公开(公告)号：CN106048673B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610369134.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al纳米线的制备方法，该方法是采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板结合电化学沉积法,以Al2(SO4)3·7H2O、Cr2(SO4)3·6H2O、H3BO3和抗坏血酸的混合液为电镀液，并调节电镀液pH值为2.5～3.5，电镀生长后刻蚀掉模板，制备得到Cr3Al纳米线阵列。本发明的方法采用简单的电化学沉积工艺，通过对电镀液的选择及生长参数的调节，首次实现了在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备铬三铝合金磁性纳米线有序阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106637417A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610915238.6
申请日：2016-10-20
Applicant: 河北工业大学
IPC: C30B31/04
CPC classification number: C30B31/04
Abstract: 本发明公开了一种人工蓝宝石晶体的改色方法，该方法是通过较低温度热处理技术，将致色离子扩散到人工蓝宝石晶体内，从而改善蓝宝石晶体的颜色和通透性的方法。通过使用本发明的方法处理过的蓝宝石晶体，可以使无色的蓝宝石晶体变为多种颜色的晶体，且色泽均匀、通透性更好，并且该方法的处理工艺简单，设备简易，对环境无污染。处理后得到的蓝宝石，其观赏价值和市场经济价值可以得到大幅度的提高。
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公开(公告)号：CN106449873A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610864021.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/322
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下：(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过
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公开(公告)号：CN104213090A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410431213.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法，其步骤如下：1）将玻璃衬底置于磁控溅射仪的衬底托盘上，固定；2）将ZnO靶和Mo靶分别置于射频靶位和直流靶位上，调整靶位置，使直流靶的轴线与衬底表面呈平行状态，射频靶的轴线与水平面之间夹角为70～80°；3）溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜。本发明制备的钼掺杂氧化锌薄膜普遍具有良好的质量及光电性能，薄膜的电阻率可达到3.829×10-4Ω·cm，在可见光区的透过率达到87%以上。本发明的方法制备工艺简单可行，且资源利用率高。
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公开(公告)号：CN104178813A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410465267.8
申请日：2014-09-15
Applicant: 同方国芯电子股份有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及泡生法蓝宝石单晶生长炉，尤其涉及一种泡生法蓝宝石单晶生长炉保温侧屏。该保温侧屏设置于加热器和不锈钢钢外壳之间，保温侧屏包括内层钨屏和外层氧化锆纤维保温砖层。这种保温侧屏的设计，使得系统具有更轻的质量，更好的保温效果，晶体中的轴向和径向温度梯度减小，同时减小了晶体中的热应力和位错密度，达到减小功耗，提高晶体质量的作用。
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公开(公告)号：CN118729926A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410985069.8
申请日：2024-07-23
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于物体表面轮廓识别的倾斜式磁性触须传感器。该传感器包括钕铁硼‑有机硅弹性体磁性触须、树脂方台、有机硅弹性基底、TMR2003元件和柔性印刷电路板；其中，柔性印刷电路板等分为前后两个区域，每个区域的前部，均阵列分布有2×n个TMR2003元件；有机硅弹性基底覆盖在柔性印刷电路板；每个区域的后部的有机硅弹性基底上表面，均嵌有2个树脂方台；每个树脂方台的前端上角为斜面，每个斜面上均固定有一个钕铁硼‑有机硅弹性体磁性触须。本发明的磁性触须传感器具有柔性高，回弹性能良好，使用寿命长，力位移测量范围大以及灵敏度高的优势，可以实现对于物体形状识别的触觉传感器。
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