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公开(公告)号：CN104213090A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410431213.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法，其步骤如下：1）将玻璃衬底置于磁控溅射仪的衬底托盘上，固定；2）将ZnO靶和Mo靶分别置于射频靶位和直流靶位上，调整靶位置，使直流靶的轴线与衬底表面呈平行状态，射频靶的轴线与水平面之间夹角为70～80°；3）溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜。本发明制备的钼掺杂氧化锌薄膜普遍具有良好的质量及光电性能，薄膜的电阻率可达到3.829×10-4Ω·cm，在可见光区的透过率达到87%以上。本发明的方法制备工艺简单可行，且资源利用率高。
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