一种碳化硅金属污染处理方法

    公开(公告)号:CN108022827A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201610950062.8

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属污染的处理方法,其包括:步骤A,采用清洗液对被金属污染的碳化硅晶圆进行预清洗处理;步骤B,通过电场作用对经预处理的碳化硅晶圆进行清洗处理;步骤C,对步骤B得到的碳化硅晶圆进行洗涤、干燥处理,制得经处理的碳化硅晶圆;以步骤A至步骤C为1次处理计,对被金属污染的碳化硅晶圆进行N次处理,直至第N次处理所得经处理的碳化硅晶圆表面的金属离子浓度小于5×1010cm‑2;其中,N为正整数;当N≥2时,将第N‑1次处理所得经处理的碳化硅晶圆作为第N次处理的被金属污染的碳化硅晶圆进行预清洗处理。本发明方法操作简单,所用清洗装置简单,能有效去除碳化硅晶圆表面的金属杂质,对所有种类的金属离子污染都具有普适性。

    一种集成门极换流晶闸管

    公开(公告)号:CN106876452A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201710131429.8

    申请日:2017-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种集成门极换流晶闸管,包括门极电极和多个环绕门极电极设置的阴极梳条结构,阴极梳条结构包括至少两层台阶的门阴极结,门阴极结的最低层台阶设置在阴极梳条结构的P区内,最低层台阶的宽度随着与门极电极的间距增加而减少。所述集成门极换流晶闸管,通过在阴极梳条结构设置至少两层台阶的门阴极结,门阴极结的最低层台阶设置在阴极梳条结构的P区内形成深台阶,并且最低层台阶的宽度随着与门极电极的间距增加而减少,使得稳态时电流密度分布满足离门极电极越近电流密度越大,关断时电流快速从距离门极电极近的梳条抽取出去,减少关断延迟转移到边缘梳条的电流,避免了关断过程中损耗集中于边缘梳条,提高了可靠性。

    一种水下目标抓取的方法、装置及水下机器人

    公开(公告)号:CN117984306A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211350275.9

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明提供了一种水下目标抓取的方法、装置及水下机器人,解决了由于水对光线的折射作用,使得水下相机传上的视频图像存在扭曲变形,操作员通过有变形的图像获取的目标位置不准确,导致操作员难以精确遥控水下机械臂末端到目标位置,导致水下机械臂目标抓取失败率高,作业效低下的问题。该水下目标抓取的方法包括:对图像采集装置进行标定,获取图像采集装置的内参矩阵;采集目标物体上的二维码图像及深度信息;建立坐标系,坐标系包括:机械臂基座坐标系;基于二维码图像、深度信息以及图像采集装置的内参矩阵,获得目标物相对于机械臂基座坐标系的位置坐标;基于目标物相对于机械臂基座坐标系的位置坐标进行水下目标抓取。

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