-
公开(公告)号：CN102741449A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008362.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/165 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。
-
公开(公告)号：CN101512622B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
-
公开(公告)号：CN101911232A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102139.4
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种可靠性高的触摸屏传感器，其具有难以发生断线和随时间流逝造成的电阻增加，且显示出低电阻，并且能够确保与透明导电膜的导电性而能够直接与该透明导电膜连接的折回配线。本发明涉及触摸屏传感器，其具有透明导电膜和与之直接连接的由铝合金膜形成的折回配线，所述铝合金膜含有从Ni和Co构成的X组中选出的至少一种元素，其合计为0.2～10原子％，并且，所述铝合金膜的硬度为2～15GPa。
-
公开(公告)号：CN101512622A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033457.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: G02F1/136286 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其是在玻璃基板上配置了将透明导电膜与薄膜晶体管电连接的铝合金配线膜的显示装置，该铝合金配线膜具有包含第一层(X)和第二层(Y)的层叠结构，所述第一层(X)由含有特定量的Ni、Ag等选自特定的元素组Q中的一种以上的元素、稀土类元素或Mg等选自特定的元素组R中的一种以上的元素的铝合金构成，所述第二层(Y)由电阻率低于该第一层(X)的铝合金构成，第一层(X)与透明导电膜直接接触。
-
公开(公告)号：CN103782374B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201280044092.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01J11/46 , H01J31/12 , H01J31/15 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック：hillock)，高温耐热性优异，配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低，此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构，具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造：所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种；所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534789B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280022035.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。
-
公开(公告)号：CN103403214B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280010495.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , C22F1/00 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/28008 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。
-
公开(公告)号：CN102741449B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180008362.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/165 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。
-
公开(公告)号：CN104093865A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007803.3
申请日：2013-01-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , B22F1/0018 , B82Y30/00 , C22C1/0466 , C22C5/08 , C23C14/165 , C23C14/3414 , G02B5/26 , H01B1/023
Abstract: 本发明提供一种Ag合金膜，其表现出与纯Ag膜几乎相同水平的低电阻率，且与以往的Ag合金膜相比耐久性(具体而言，耐盐水性、耐卤素性)及与基板的密合性优异，此外，在通过溅射法使上述Ag合金膜成膜时，溅射时的成膜速度与纯Ag一样快。本发明的上述Ag合金膜用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极，含有选自由Pd、Au及Pt组成的组中的至少1种元素0.1～1.5原子％、和选自由稀土元素的至少1种、Bi及Zn组成的组中的至少1种元素0.02～1.5原子％，余量包含Ag及不可避免的杂质。
-
公开(公告)号：CN103733310A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280035317.8
申请日：2012-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.049 seconds)
