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公开(公告)号：CN1471173A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148711.4
申请日：2003-06-24
Applicant: 株式会社日立制作所 , 联晶半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/28123 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。
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公开(公告)号：CN113646012B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080026945.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: A61L15/22 , A61L15/24 , A61L15/32 , A61L15/44 , A61L29/04 , A61L29/08 , A61L29/12 , A61L29/16 , A61K47/30 , A61K47/32 , A61K47/42 , A61L31/04 , A61L31/10 , A61L31/12 , A61L31/16 , A61L27/14 , A61L27/16 , A61L27/34 , A61L27/40 , A61L27/44 , A61L27/54 , C07K7/06 , C07K7/08 , C07K17/00 , A61K9/70
Abstract: 本发明提供吸附与树脂密合性高的难以从树脂表面剥离的肽而提高生物相容性的生物相容性材料、以及具有其的功能性材料。生物相容性材料(10)包含树脂(1)和吸附于树脂(1)的肽(2)，树脂(1)具有甲氧羰基和甲基，肽(2)中氨基酸残基的70％以上为色氨酸残基或精氨酸残基，或者，树脂(1)为氟树脂，肽(2)为氨基酸残基的40％以上为2,3,4,5,6‑五氟苯丙氨酸残基、3‑(三氟甲基)丙氨酸残基、丝氨酸残基、苏氨酸残基、组氨酸残基、天冬氨酸残基、谷氨酸残基、苯丙氨酸残基或天冬氨酸残基。功能性材料包含生物相容性材料(10)和功能性物质，功能性物质保持在生物相容性材料(10)表面或者从生物相容性材料(10)表面放出。
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公开(公告)号：CN113646012A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080026945.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: A61L15/22 , A61L15/24 , A61L15/32 , A61L15/44 , A61L29/04 , A61L29/08 , A61L29/12 , A61L29/16 , A61K47/30 , A61K47/32 , A61K47/42 , A61L31/04 , A61L31/10 , A61L31/12 , A61L31/16 , A61L27/14 , A61L27/16 , A61L27/34 , A61L27/40 , A61L27/44 , A61L27/54 , C07K7/06 , C07K7/08 , C07K17/00 , A61K9/70
Abstract: 本发明提供吸附与树脂密合性高的难以从树脂表面剥离的肽而提高生物相容性的生物相容性材料、以及具有其的功能性材料。生物相容性材料(10)包含树脂(1)和吸附于树脂(1)的肽(2)，树脂(1)具有甲氧羰基和甲基，肽(2)中氨基酸残基的70％以上为色氨酸残基或精氨酸残基，或者，树脂1为氟树脂，肽(2)为氨基酸残基的40％以上为2,3,4,5,6‑五氟苯丙氨酸残基、3‑(三氟甲基)丙氨酸残基、丝氨酸残基、苏氨酸残基、组氨酸残基、天冬氨酸残基、谷氨酸残基、苯丙氨酸残基或天冬氨酸残基。功能性材料包含生物相容性材料(10)和功能性物质，功能性物质保持在生物相容性材料(10)表面或者从生物相容性材料(10)表面放出。
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公开(公告)号：CN104364947B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201280073556.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
IPC: H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/622 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2220/30
Abstract: 本发明提供锂离子二次电池，其中，在正极及负极的至少一方中，使活性物质粘结在集电体上的粘合剂含有由具有苯环的树脂构成的基础材料和选自由萘、蒽及丁省以及它们的衍生物构成的组中的聚并苯添加剂，且该活性物质为碳质材料，或为晶体结构中的最接近的氧间距离为0.19～0.29nm的含锂复合氧化物。根据本发明的锂离子二次电池的构成，在其制造时，粘合剂在活性物质上的附着引入到活性物质的晶体结构中的最密晶面中，因此，能够降低起因于粘合剂的活性物质中的锂离子的出入的阻碍。
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公开(公告)号：CN102005418B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010254717.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L23/295 , H01L23/49568 , H01L23/49586 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，是在具有半导体基片、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、把该半导体基片密封的密封体的半导体装置中，提供一种上述引线与密封体(模制密封体)的粘合性提高，不产生剥离的半导体装置。在具有半导体基片(5)、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线(3)、把该半导体基片密封的密封体(2)的半导体装置中，为了提高上述引线(3)与密封体(模制密封体)的粘合性，作为引线(3)的表面材料与密封体(2)的组合，采用晶格整合性良好的材料组合，采用并苯类作为主构成材料的密封体(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609688B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910006431.8
申请日：2009-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3254 , H01F41/307
Abstract: 本发明提供一种可靠性和成品率高的磁头和磁存储装置。该磁头包含：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；在上述下部磁屏蔽层和上述上部磁屏蔽层之间形成的磁阻效应膜(3)；以及使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的单元，磁阻效应膜是依次形成固定层(51)、非磁性层(52)、由氧化物层构成的绝缘阻隔层(53)、自由层(54)而得到的，氧化物层中含有钛和镍中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101814576A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910204214.X
申请日：2009-10-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
IPC: H01L41/083 , H01L41/047 , H01L41/18
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/0471 , H01L41/0472 , H01L41/1871
Abstract: 提供一种压电性能高、位移大且可靠性高的压电元件。该压电元件具有以BaTi2O5为主要构成材料的压电材料体、和向压电材料体施加电压的内部电极，内部电极的主要构成材料采用与压电材料BaTi2O5的晶格匹配性好的电极材料(Ru与RuO2的混合物)。
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公开(公告)号：CN101206872B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200710199751.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
Abstract: 本发明的课题是提供可靠性和功能良好的图案化磁介质、磁记录介质和磁存储装置。在具备基板和在上述基板的一个主面侧形成的软磁性基底膜、非磁性膜、中间膜图案化磁介质、记录层、与上述记录层接触地形成的第一保护膜、与上述第一保护膜接触地形成的第二保护膜、与上述第二保护膜接触地形成的第三保护膜，且上述记录层具有磁性膜与非磁性材料的凹凸图案接触地形成的图案结构的图案化磁介质中，将上述第一保护膜和上述第三保护膜的主构成材料定为碳，将上述第二保护膜定为涂敷膜。由于碳与涂敷膜的密接性高，故可防止剥离，涂敷膜作为缓冲材料吸收冲击力。
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公开(公告)号：CN101465126A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810184330.5
申请日：2008-12-10
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 本发明提供一种磁再现头、磁头以及磁存储装置。如果磁阻效应膜的轨道宽度小于等于50nm，则有时产生检测电流的泄漏。上述磁再现头防止这样的检测电流的泄漏，且可靠性以及成品率高。磁再现头(10)具备：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；形成在下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜(30)；被配置成与磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜(6)；以及配置在磁阻效应膜(30)的侧壁面上的轨道宽度方向的填充膜(1)。磁阻效应膜(30)是具备自由层(36)、绝缘阻挡层(34)、固定层(32)的隧道磁阻效应膜，绝缘阻挡层(34)是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。
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公开(公告)号：CN100444402C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410058869.8
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/04 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28035 , H01L21/28202 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/115 , H01L29/518 , H01L29/7842 , H01L29/7845 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。
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