公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN103325828A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN103000682A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN102623494A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110254450.X

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  吉冈启 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103681884A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070533.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 提供半导体器件及其制造方法。半导体器件具备含有III族元素的第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、第3氮化物半导体层、绝缘膜、欧姆电极和肖特基电极。第2氮化物半导体层设在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层。第3氮化物半导体层设在第2氮化物半导体层上。绝缘膜与第3氮化物半导体层相接地设在第3氮化物半导体层上。欧姆电极与第2氮化物半导体层欧姆接触。肖特基电极与第2氮化物半导体层肖特基接触。欧姆电极和肖特基电极之间的第3氮化物半导体层的表面区域，含有与第3氮化物半导体层的构成元素为异种的元素，该元素的浓度高于第3氮化物半导体层的比表面区域还靠第2氮化物半导体层侧的区域。

公开(公告)号：CN102694019A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。