公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN104064593A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310731532.8

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/42356

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。

公开(公告)号：CN103325828A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210315907.8

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/155 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。

公开(公告)号：CN103000682A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN102623494A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110254450.X

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  吉冈启 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。

公开(公告)号：CN105990417A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093186.4

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大麻浩平 ,  吉冈启 ,  矶部康裕

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/308 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使耐压提高的半导体装置。根据实施方式，提供一种半导体装置，其包含第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层、设置在第二半导体层上的源极电极及漏极电极、栅极电极、以及第一场板电极。第二半导体层包含第一半导体部分、及薄于第一半导体部分的第二半导体部分。源极电极及漏极电极与第二半导体层电连接。栅极电极在源极电极与漏极电极之间设置在第二半导体层上。第一场板电极设置在第二半导体层上，且包含导电部。导电部在沿着从第一半导体层向第二半导体层的第一方向观察时，设置在栅极电极与漏极电极之间。导电部的端部的至少一部分位于第二半导体部分上。

公开(公告)号：CN103000682B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210061235.2

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由AlxGa1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由AlyGa1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN104425570A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410051942.2

申请日：2014-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  齐藤泰伸 ,  津田邦男

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。

公开(公告)号：CN104064598A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310737010.9

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藏口雅彦 ,  吉冈启 ,  汤元美树 ,  斋藤尚史 ,  大麻浩平 ,  杉山亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。