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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN106875969A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610811820.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。
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公开(公告)号：CN106067306A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450671.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
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公开(公告)号：CN101542602A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000667.4
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，一种磁记录介质包括形成在基底上的凸起的磁图形；以及填充在所述磁图形之间的凹陷处并由含有Ni或Cu以及含有从Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Cr、Mo和Ag中选出来的两种或两种以上金属的多元素非晶合金构成的非磁性材料。
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公开(公告)号：CN101308669A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099507.1
申请日：2008-05-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种磁记录介质，其包括：基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分处的所述保护层的第一膜的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的第二膜的厚度大1nm到10nm的厚度范围。
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公开(公告)号：CN101202053A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710188779.4
申请日：2007-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59688 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。
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公开(公告)号：CN101079271A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710137983.3
申请日：2007-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/667 , G11B5/72 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：环形基底(11)，其表面分成位于外圆周边缘与内圆周边缘之间的中央部分的记录区域(21)、位于分别从外和内圆周边缘开始的100μm或更大和2,000μm或更小的范围之内的边缘区域(23、25)，以及分别位于各边缘区域(23、25)和记录区域(21)之间的相邻区域(22、24)，基底(11)上的磁性膜(12)，以及磁性膜(12)上的保护膜(13)，其中边缘区域(23、25)的磁性膜(12)比相邻区域(22、24)的磁性膜薄，以及边缘区域(23、25)的保护膜(13)的至少一部分比相邻区域(22、24)的保护膜厚。
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公开(公告)号：CN101042880A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710089484.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 提供了一种制造构图介质的方法，所述构图介质具有基底(51)和在所述基底上的磁记录层，所述磁记录层包括凸起的磁图形(52)和填充所述磁图形(52)之间的凹陷的非磁性材料。该方法包括以下步骤：沉积第一非磁性材料(55)，以填充所述磁图形(52)之间的凹陷；进行对所述第一非磁性材料(55)的表面改性；在所述第一非磁性材料(55)上沉积第二非磁性材料(56)；以及回蚀刻所述第二和第一非磁性材料(55，56)。
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公开(公告)号：CN101038752A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710089302.0
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/59655 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 图案化介质具有基片，以及在基片上包括凸出的磁性图案的磁性记录层，以及填充在凸出的磁性图案之间的非磁性材料。在图案化介质中，深度Db和深度Da存在关系深度Da大于深度Db，其中Db定义为从磁性图案表面到填充在交叉磁轨方向或沿着磁轨方向上相邻的磁性图案之间的第一中间部中的非磁性材料表面的深度，且Da定义为从磁性图案表面到填充在由四个磁性图案所环绕的部件中的第二中间部中的非磁性材料表面的深度。
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