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公开(公告)号：CN103403890A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180069018.1
申请日：2011-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/28 , H01L23/49805 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、第一绝缘层（18）、p侧互连层、n侧互连层、和第二绝缘层（25）。半导体层包括第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层。p侧电极（16）设置在第二表面上的包括发光层的区域中。n侧电极（17）设置在第二表面上的不包括发光层的区域中。p侧互连层包括在第三表面（30）处从该第二绝缘层（25）暴露出的p侧外部端子（23a），该第三表面具有的平面取向不同于第一表面的平面取向和第二表面的平面取向。该n侧互连层包括在第三表面（30）处从第二绝缘层（25）暴露出的n侧外部端子（24a）。
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公开(公告)号：CN102270708A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010282835.2
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2224/14104 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。
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公开(公告)号：CN101840986A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010135750.1
申请日：2010-03-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。一种半导体发光器件包括：衬底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；第一电极，其设置在所述第一主表面上；半导体发光元件，其设置在所述第一电极上并电连接到所述第一电极；第二电极，其设置在所述第二主表面上；以及贯通电极，其被设置为穿过在所述凹陷处的所述衬底并电连接所述第一电极和所述第二电极。
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公开(公告)号：CN101492149A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910003276.4
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。绝缘的第四膜形成在第三膜上，并且其弹性高于第三膜的弹性。
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公开(公告)号：CN101277580A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810090518.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1551307A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038156.5
申请日：2004-05-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法。本发明的目的是防止低介电常数绝缘膜劣化，能有效地剥离低介电常数绝缘膜上堆积的抗蚀剂掩模。其解决方案是具备：在半导体基板1上形成低介电常数绝缘膜5的工序，在低介电常数绝缘膜上形成抗蚀剂图案6的工序，和以抗蚀剂图案作为掩模蚀刻低介电常数绝缘膜的工序，和通过铵离子进行的等离子体处理来剥离抗蚀剂图案6的工序。
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公开(公告)号：CN105452844B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480045049.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N15/12 , G01N27/00 , G01N33/483 , G01N37/00
CPC classification number: B01L3/502753 , B01L2200/0647 , B01L2300/0645 , B01L2300/0681 , B01L2400/086 , G01N15/1031 , G01N15/1484 , G01N2015/0053 , G01N2015/1006 , G01N2015/1486
Abstract: 实施例之一是用于检测样品液体中的颗粒的半导体微处理的芯片。所述芯片包括：半导体基底；设置在所述半导体基底上以允许样品液体在其中流动的第一流动沟槽；设置在与半导体基底的第一流动沟槽不同的位置处以允许样品液体或者电解溶液在其中流动的第二流动沟槽；在该处第一流动沟槽的一部分和第二流动沟槽的一部分以配置在流动沟槽之间的隔壁彼此邻接或者互相交叉的接触部分；和设置在所述接触部分的所述隔壁上以允许所述颗粒从其通过的精细孔。
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公开(公告)号：CN105990506A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610012015.9
申请日：2016-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明提供包含半导体部、第一金属柱、第二金属柱及绝缘层的半导体发光装置。半导体部包含第一面、第二面及发光层。第二面包含与发光层重叠的第一区域及不与发光层重叠的第二区域。第一金属柱与第二区域电性连接。第一金属柱包含第一金属层及第二金属层。第二金属层的硬度比第一金属层的硬度硬。第一金属层设置在第二面与第二金属层的至少一部分之间。第二金属柱在第二方向与第一金属柱并排，与第一区域电性连接，第二方向与从第一面朝向第二面的第一方向交叉。第二金属柱包含第三金属层及第四金属层。第四金属层的硬度比第三金属层的硬度硬。第三金属层设置在第二面与第四金属层的至少一部分之间。绝缘层设置在第一金属柱与第二金属柱之间。
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公开(公告)号：CN101989573B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010243804.6
申请日：2010-08-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , Y10S438/94
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
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公开(公告)号：CN104966777A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510093244.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体发光装置及其制造方法。实施方式的半导体发光装置中，第一电极及第二电极在半导体层的第二侧的半导体层。第一绝缘膜覆盖着半导体层的第二侧。在第一绝缘膜与第一配线部之间，设置着第一配线部与第二配线部之间所设置的第二绝缘膜的一部分。
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