公开(公告)号：CN1505157A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310115499.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 古畑武夫 ,  水岛一郎 ,  关原章子 ,  岸田基也 ,  原田翼 ,  中尾隆

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。

公开(公告)号：CN1445822A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119636.5

申请日：2003-03-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中尾隆 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  Y02P90/28

Abstract: 本发明提供一种需要时可以只供给需要量衬底处理方面直接地或间接地使用的液体、气体或固体等物质，能够实现供给设备或输送设备小型化的半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法。半导体制造装置1和半导体制造系统具备缓冲部件4。缓冲部件4是暂时性贮存由外部供给源20供给的，衬底处理方面需要的物质，并可将该贮存的物质供给处理室2。物质的供给是通过控制部件6、LAN13由CIM来进行控制。

公开(公告)号：CN1403626A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02141417.3

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中尾隆 ,  牛久幸広

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括：具有多个监视区域的排气泵系统2；分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统2的状态的传感器101、102、103、……、104；分别设在监视区域中加热器201、202、203、……、204；分别接收来自传感器101、102、103、……、104的数据信号D1、D2、D3、……、Dm，比较该数据信号与阈值，当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时，只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置1。