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公开(公告)号：CN1154182C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN98105297.5
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/522 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/10161 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明揭示一种使半导体器件封装小型化，并且使信号端子电极其电气隔离性提高的半导体器件。半导体器件在封装1的中央部位配置引线框2，周边部位配置信号端子电极3至信号端子电极7，在引线框2上搭载半导体芯片8，在信号端子电极4和信号端子电极5之间配置具有接地电位的接地电极16，信号端子电极5和信号端子电极6之间配置具有接地电位的接地电极17。
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公开(公告)号：CN1151542C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98120107.5
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法是在基板上形成具有底部的介通孔后，在介通孔的至少侧壁上形成导电层。然后，为使导电层露出，将基板上介通孔形成侧的相反一侧的部分去除，对基板进行薄化处理。
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公开(公告)号：CN1487605A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155757.0
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。
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公开(公告)号：CN103392225A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201180068394.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/0607 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。
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公开(公告)号：CN103339857A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006602.7
申请日：2012-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/687 , H02M1/08
CPC classification number: H03K17/04 , H01L2224/48137 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H02M1/08 , H03K17/04123 , H03K17/691 , H01L2924/00
Abstract: 一种能够对半导体开关元件输出不仅是上升时间、下降时间也较短的驱动信号的具有信号绝缘功能的栅极驱动电路，具备：输入端子，被输入控制信号；输出端子；电容器，连接在输出端子上；调制部（170），生成表示控制信号中的第一逻辑值的定时的第一调制信号和表示控制信号中的至少第二逻辑值的定时的第二调制信号；第一电磁谐振耦合器（107），将第一调制信号非接触地传送；第二电磁谐振耦合器（108），将第二调制信号非接触地传送；第一整流电路（171），通过将第一调制信号解调而生成第一解调信号，向输出端子输出；第二整流电路（172），通过将第二调制信号解调而生成第二解调信号，向输出端子输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102781845A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011522.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C02F1/043 , C02F1/14 , C02F2103/08 , Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用淡水化装置淡化盐水的方法。淡水化装置在容器的内部具备通气性片、拨水颗粒层、槽层，槽层位于容器的下部，通气性片夹持在拨水颗粒层和槽层之间。通气性片具备贯通孔，拨水颗粒层由密集的多个拨水性颗粒构成，拨水性颗粒的表面具备拨水膜。通过如下工序来淡化盐水：向容器中注入盐水，使盐水配置在拨水颗粒层的表面上的工序；加热盐水，使得上述盐水蒸发形成水蒸气的工序；和将水蒸气液化，在槽层得到淡水的工序。
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公开(公告)号：CN100490200C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710103902.8
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光装置，包括：载体基片；半导体发光元件，其安装在所述载体基片上；透明薄膜，其固定在所述载体基片上，以覆盖所述半导体发光元件；以及图形电极，其形成在所述透明薄膜的上表面上，其中所述图形电极电连接着所述半导体发光元件的终端电极，所述透明薄膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉，荧光膜形成在所述透明薄膜的至少一个表面上，所述荧光膜中含有可被所述半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。
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公开(公告)号：CN100472818C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN03155757.0
申请日：2003-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01063 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发例如蓝光的InGaN基发光二极管，其作为半导体发光元件而被固定在载体基片上，并且透明薄膜固定在载体基片上，以覆盖半导体发光元件。图形电极形成在透明薄膜的上表面上，并且图形电极穿过例如通孔而电连接着半导体发光元件的终端电极。透明薄膜中可以含有可被半导体发光元件发出的光激发的荧光粉。在将半导体发光元件与图形电极连接时不必再进行引线焊接和利用密封层密封。
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公开(公告)号：CN100440542C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410044704.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41766
Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。
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公开(公告)号：CN101009324A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610165929.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/432 , H01L29/452 , H01L29/7787
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。
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