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公开(公告)号：CN113478088B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110727219.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/362 , B08B3/08 , B08B3/12
Abstract: 本发明属于微纳米技术领域，具体涉及一种改善激光烧蚀微孔、槽内表面粗糙度的方法，包括以下步骤，S1:使用激光雕刻机对聚合物PMMA基板进行雕刻烧蚀处理，制备所需要的烧蚀孔和烧蚀槽；S2:将雕刻完成的聚合物PMMA基板放置于三氯甲烷溶液；S3:将带有三氯甲烷溶液的聚合物PMMA基板置于超声场；S4:将聚合物PMMA基板从超声场中取出，进行光照处理；S5:待三氯甲烷挥发充分后，使用乙醇溶液清洗聚合物PMMA基板。本发明能够有效改善聚合物PMMA基板微孔、槽表面的粗糙度，提高聚合物PMMA基板微孔、槽内表面的光滑度。
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公开(公告)号：CN115266878A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210905353.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 本发明公开一种检测氯丙嗪的印迹电化学传感器及其制备方法。以饱和甘汞电极作为参比电极，铂丝电极作为对电极，不锈钢针灸针为工作电极。以不锈钢针灸针为基底，在其针尖表面通过电沉积金属依次修饰上铜、金纳米颗粒，得到Au/Cu/ANE电极。将电极浸泡在含有3‑氨基苯硼酸和氯丙嗪的聚合溶液中通过循环伏安法电聚合形成印迹聚合膜，最后再通过洗脱剂将电极表面聚合膜内的氯丙嗪分子提取出来，使聚合膜上形成能够特异性识别氯丙嗪分子的印迹空腔。本发明所制备的传感器能够快速检测溶液中的氯丙嗪含量，传感器表面的聚合膜能够为氯丙嗪氧化提供众多印迹位点。并且其抗干扰能力强，灵敏度高，稳定性高，成本低，制备工艺简便。
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公开(公告)号：CN114300355A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111637888.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/322 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，本发明的一种基于电场作用修正硅基材料晶格缺陷的方法通过对湿法刻蚀后的硅基材料进行预热处理和施加直流电场，以此来修正硅基材料自身的晶格缺陷以及其在湿法刻蚀过程中产生的晶格缺陷，在高温条件下配合电场力产生的电子风力作用在相关电子以及原子上，使硅基材料恢复其原本的状态，从而提高硅基材料的品质因数，提升其应用性能并增大其应用前景。
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公开(公告)号：CN112802739A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011619697.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/263 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法，通过设置超声波换能器探头与电磁铁，电磁铁的磁力作用能够增强刻蚀的速率，提高刻蚀孔的垂直性，超声波和磁场耦合作用高深宽比刻蚀硅基，减少表面损伤，降低机械应力，能够有效保证刻蚀的精度以及侧壁的质量，形成合理的高深宽比的硅微通道，保证使用效果，有利于上述基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构在微纳米制造技术领域的推广及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111488715A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010279647.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F115/04
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路；解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN110016720A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910414264.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热-声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
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公开(公告)号：CN106114596B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610654420.0
申请日：2016-08-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种履带式爬楼搬运小车稳定行走机构，其主动轮、前从动轮和后从动轮的回转中心构成三角状且中从动轮回转中心位于前从动轮与后从动轮回转中心的连线上；主动轮、前从动轮、中从动轮、后从动轮缠绕履带；中固定杆上下两端分别转动配合主动轮、中从动轮；上伸缩杆的两端分别转动配合主动轮、前从动轮；上固定杆的两端分别转动配合主动轮、后从动轮；下伸缩杆的两端分别转动配合前从动轮、中从动轮；下固定杆的两端分别转动配合后从动轮、中从动轮。本发明通过调节前从动轮高度使履带前后两部分相对转动并形成一定角度，可消除履带行走机构在爬楼开始时履带与楼梯的冲击，提高爬楼搬运小车行走机构运动的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN106006542B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610390923.1
申请日：2016-06-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，按如下步骤进行：(1)进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；(2)利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；(3)将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置。本发明温热处理下硅基微结构空腔位置变化规律研究方法，主要操作：在一定的温度环境下，对不同初始结构参数的硅材料进行热处理15min，探究硅基微结构空腔位置变化规律，从而达到控制硅基微结构空腔位置。
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公开(公告)号：CN104690737A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510060933.4
申请日：2015-02-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B25J15/00
Abstract: 本发明公开了一种超声驻波悬浮夹持搬运机械手，包括横梁，横梁安装两导轨平台，每一导轨平台上安装有导轨，导轨滑动配合外滑块，外滑块固定连接移动平台，移动平台固定连接内滑块，内滑块穿过滚珠丝杆，滚珠丝杆通过螺纹推动内滑块运动；滚珠丝杆的第一端与驱动电机的电机轴连动；移动平台上安装换能器，换能器固定连接变幅杆；两变幅杆的一端相正对且留有间隙；在驱动电机的驱动下，两变幅杆作相对或反向同步运动。本发明超声驻波悬浮夹持搬运机械手用于工件非接触式搬运，在生产线上，其实现了机器人手臂末端非接触式的夹具功能。
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