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公开(公告)号：CN118907272A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411213973.3
申请日：2024-08-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种两轮移动机器人行走机构及其稳定控制方法，包括：壳体：包括上壳体和下壳体，下壳体内固定连接有一支撑组件；低重心行走机构：包括一对行走轮，所述行走轮通过驱动轴安装孔安装在所述下壳体；行走轮传动机构：由同步带主动轮、同步带和同步带从动轮组成；行走轮驱动电机：与所述支撑组件固定连接，并通过联接键与同步带轮主动轮联结进行传动，通过定位销与同步带轮主动轮连接；惯性飞轮机构：由惯性飞轮、编码器电机、编码器电机座组成，和控制系统，本发明涉及的一种两轮移动机器人行走机构及其稳定控制方法，以解决目前两轮自平衡移动机器人结构稳定性差、控制系统稳定性要求高等问题。
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公开(公告)号：CN111488715B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010279647.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F115/04
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路；解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN109933917B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910203517.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明具体涉及基于表面能作用的三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法，所述三维光子晶体的表面具有二维阵列圆柱孔，所述研究方法包括以下步骤：步骤一：建立三维光子晶体的相场模型；步骤二：建立系统表面能方程；步骤三：选定二维阵列圆柱孔的直径D和孔径距离Ds不变，不断改变圆柱孔的深度H，调整H/D的极限条件，以获取三维光子晶体的系统表面能与所形成的球形缺陷空腔的定量关系。本发明利用三维光子晶体介质粒子的热扩散运动，在系统表面能作用下实现对光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究，建立系统表面能E与球形缺陷空腔数量N之间的内在联系，为三维光子晶体内部微结构的稳定成型提供了新的思路方法。
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公开(公告)号：CN114935597A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210553913.0
申请日：2022-05-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/49
Abstract: 本发明公开一种松果状Ni/Au双金属纳米合金修饰针灸针的无酶葡萄糖电化学传感器。所述的电化学传感器包含了工作电极、参比电极和对电极。其中，所述的参比电极为饱和甘汞电极，对电极为铂丝电极，工作电极的基底电极为不锈钢针灸针电极，在不锈钢针灸针电极表面通过计时电流法先电沉积一层金纳米颗粒，得到Au/AN，再采用两步计时电流法电沉积一层镍纳米颗粒，得到Ni/Au/AN，其中生成的松果状Ni/Au双金属合金发挥了AuNPs和NiNPs的协同作用，加大电极的比表面积，使电极表面催化葡萄糖氧化的活性位点增加，增强了电极电催化能力，得到实现对葡萄糖快速准确识别的电化学传感器。
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公开(公告)号：CN113387323A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110564032.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112750687A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011623254.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，包括以下步骤：S1、在硅基上设置光刻胶模板作为硅基的掩膜，并在光刻胶模板上放置催化剂层，催化剂层由贵金属催化剂层和磁性层组成，贵金属催化剂层位于磁性层的上下两侧；S2、在硅基的下方放置电磁铁，电磁铁和磁性层位于硅基的相对两侧；S3、在硅基的上下两侧加设电极板，并通入直流电源；与现有技术相比，使得金属颗粒与硅基接触更加紧密，催化剂与硅基接触的有效面积增大，促使硅基内产生的空穴能够尽快地被溶解，避免晶格缺陷的产生，降低孔隙率，从而改进硅基圆柱孔壁的表面质量，避免在后续成形过程中产生过多的机械应力。
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公开(公告)号：CN110008650A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910411740.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN108318485A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201711339146.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 基于激光照射不同材料对表面微结构成型影响的研究方法，其按如下步骤：步骤一：利用飞秒激光照射硅基板，硅基板形成表面凸起；步骤二：基于相场模型理论，构建数学模型，对硅基板凸起成型实验进行仿真分析；步骤三：选取导热系数不同的其他材料基板，重复步骤一及步骤二，获得不同材料基板凸起成型的规律。本发明利用飞秒激光照射硅基板产生表面凸起，并使用三维数值模型，即相场法去模拟和预测激光成型硅基表面形态，进而提出一种发明思路，飞秒激光照射其它材料形成的凸起是否符合相同的成型规律。
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公开(公告)号：CN106583918A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611090441.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/352
Abstract: 本发明公开了一种基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。本发明以通过改变激光的功率来控制硅基板上凸起形貌的大小。本发明不需要对硅基板整体进行高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷。
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公开(公告)号：CN106021938A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610355855.5
申请日：2016-05-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G16C20/30
Abstract: 本发明公开了一种Ag2Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法，按如下步骤：一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag2Ga，用方程2Ag+Ga＝Ag2Ga表示，在整个计算模型中存在着三个密度场变量，定义Ag微粒为c1(x,y,z,t)，Ag2Ga纳米针为c2(x,y,z,t)，Ga微粒为c3(x,y,z,t)，c1为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比，c2为Ag2Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比，c3为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比；该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成，用如下方程表示：其中，Fch表示化学能量变化，Fgrad表示梯度能量变化；二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律，控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
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