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公开(公告)号：CN111488715B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010279647.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F115/04
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路；解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN109933917B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910203517.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明具体涉及基于表面能作用的三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法，所述三维光子晶体的表面具有二维阵列圆柱孔，所述研究方法包括以下步骤：步骤一：建立三维光子晶体的相场模型；步骤二：建立系统表面能方程；步骤三：选定二维阵列圆柱孔的直径D和孔径距离Ds不变，不断改变圆柱孔的深度H，调整H/D的极限条件，以获取三维光子晶体的系统表面能与所形成的球形缺陷空腔的定量关系。本发明利用三维光子晶体介质粒子的热扩散运动，在系统表面能作用下实现对光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究，建立系统表面能E与球形缺陷空腔数量N之间的内在联系，为三维光子晶体内部微结构的稳定成型提供了新的思路方法。
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公开(公告)号：CN110008650A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910411740.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN111488715A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010279647.8
申请日：2020-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F115/04
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路；解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN110016720A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910414264.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热-声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110008650B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910411740.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN111705361A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010543296.7
申请日：2020-06-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热-电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
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公开(公告)号：CN110016720B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910414264.4
申请日：2019-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C30B30/00
Abstract: 本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
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公开(公告)号：CN109933917A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910203517.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明具体涉及基于表面能作用的三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法，所述三维光子晶体的表面具有二维阵列圆柱孔，所述研究方法包括以下步骤：步骤一：建立三维光子晶体的相场模型；步骤二：建立系统表面能方程；步骤三：选定二维阵列圆柱孔的直径D和孔径距离Ds不变，不断改变圆柱孔的深度H，调整H/D的极限条件，以获取三维光子晶体的系统表面能与所形成的球形缺陷空腔的定量关系。本发明利用三维光子晶体介质粒子的热扩散运动，在系统表面能作用下实现对光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究，建立系统表面能E与球形缺陷空腔数量N之间的内在联系，为三维光子晶体内部微结构的稳定成型提供了新的思路方法。
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公开(公告)号：CN111705361B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010543296.7
申请日：2020-06-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热‑电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
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