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公开(公告)号：CN101343510B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810212485.5
申请日：2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号：CN101037585B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710095820.3
申请日：2003-04-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , B24B57/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。
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公开(公告)号：CN101440259A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810186929.2
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09G1/18 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN100447959C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200580010955.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号：CN101037585A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710095820.3
申请日：2003-04-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , B24B57/02 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1650403A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809590.4
申请日：2003-04-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02
CPC classification number: B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨摩擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1371529A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN00811963.5
申请日：2000-08-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂,及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上,研磨剂的动摩擦系数在0.25以上,研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上,1.5cP以下,研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。
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公开(公告)号：CN1075969C
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN94195076.X
申请日：1994-08-11
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01M4/808 , B01D39/2034 , B22F3/1137 , B22F2998/00 , C04B35/622 , C04B38/0615 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , F28F13/003 , C04B35/45 , B22F3/114 , B22F3/1143
Abstract: 本发明提供高多孔率的多孔体的制造方法，对成为基体的聚氨酯泡沫体等的具有三维纲状结构的合成树脂发泡体，涂敷粘合剂，在赋予该树脂发泡体表面粘附性后，粘附氧化铜粉等粉体，并通过烧成，除去基体和烧结粉体，复制成基体形状，制造多孔体。通过适宜地选择粉体，无材料限制，可得到强度大的多孔体。
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公开(公告)号：CN102656234A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080057563.4
申请日：2010-12-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C09D163/04 , B32B15/08 , B32B27/04 , B32B27/18 , C08J5/24 , C08J2300/24 , C08J2363/00 , C08K3/013 , C08K3/22 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K5/3415 , C08K13/02 , C08K2003/2206 , C08K2003/2227 , C08K2003/2255 , C08K2003/2296 , C08L63/00 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09D163/00 , H05K1/0306 , H05K1/0366 , H05K1/0373 , H05K3/0047 , H05K2201/0129 , H05K2201/0209 , Y10T156/10 , Y10T428/31529 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供包括含有具有特定的化学结构的不饱和马来酰亚胺化合物的马来酰亚胺化合物、热固化性树脂、无机填充材料及钼化合物的热固化性树脂组合物；将含有热固化性树脂、二氧化硅和特定的钼化合物的热固化性树脂组合物涂敷于基板后，使其半固化，制成预浸料，将该预浸料层叠成形而成的布线板用层叠板；以及含有特定的工序的树脂组合物清漆的制造方法。根据本发明，可以提供热膨胀性低、钻孔加工性及耐热性优异的电子部件，例如预浸料、层叠板、中介片等。
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公开(公告)号：CN1966548B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610141890.3
申请日：2000-08-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08J5/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。
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