公开(公告)号：CN1966548A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610141890.3

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1680511A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510068160.0

申请日：1999-08-31

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  松泽纯 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。

公开(公告)号：CN1325540A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN99812776.0

申请日：1999-08-31

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  松泽纯 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  C23F1/16

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法,该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂,(2)氧化金属溶解剂,(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂,以及(5)水。

公开(公告)号：CN1966548B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610141890.3

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN101792655A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910209364.X

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂，其特征是，含有导体的氧化剂、对金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH在3以下，上述氧化剂的浓度为0.01-3重量％，钽与铜或铜合金的研磨速度比Ta/Cu大于1，氮化钽与铜或铜合金的研磨速度比TaN/Cu大于1。

公开(公告)号：CN100381537C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510068160.0

申请日：1999-08-31

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  松泽纯 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。

公开(公告)号：CN1392215A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02123007.2

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN1371528A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂,含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水,pH低于3,氧化剂浓度为0.01－3重量%,或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN101440259A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810186929.2

申请日：1999-08-31

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  松泽纯 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09G1/18 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。

公开(公告)号：CN1371529A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811963.5

申请日：2000-08-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  星野铁哉 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂,及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上,研磨剂的动摩擦系数在0.25以上,研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上,1.5cP以下,研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。