公开(公告)号：CN1203529C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304 ,  C23F1/18 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重量%，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1371529A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811963.5

申请日：2000-08-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  星野铁哉 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂,及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上,研磨剂的动摩擦系数在0.25以上,研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上,1.5cP以下,研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。

公开(公告)号：CN1626567A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410048737.7

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1161826C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN00811963.5

申请日：2000-08-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  上方康雄 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  星野铁哉 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  C09K3/00

Abstract: 本发明中提供了一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、水溶性聚合物和水的CMP用研磨剂，及用它的研磨方法。水溶性聚合物的重量平均分子量在500以上，研磨剂的动摩擦系数在0.25以上，研磨剂的厄布洛德粘度在0.95cP以上，1.5cP以下，研磨剂的拐点压力在50gf/cm2以上。

公开(公告)号：CN1966548A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610141890.3

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN1966548B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610141890.3

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01-3重％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。

公开(公告)号：CN101792655A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910209364.X

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用研磨剂，其特征是，含有导体的氧化剂、对金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH在3以下，上述氧化剂的浓度为0.01-3重量％，钽与铜或铜合金的研磨速度比Ta/Cu大于1，氮化钽与铜或铜合金的研磨速度比TaN/Cu大于1。

公开(公告)号：CN1371528A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00811731.4

申请日：2000-08-17

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  上方康雄 ,  内田刚 ,  寺崎裕树 ,  五十岚明子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂,含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水,pH低于3,氧化剂浓度为0.01－3重量%,或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。